生长在GaAs衬底上的InGaAs薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310224531.4

申请日：

2013-06-07

公开(公告)号：

CN103325863A

公开(公告)日：

2013-09-25

发明(设计)人：

李国强高芳亮吴平平李景灵管云芳

申请人：

申请人地址：

510641 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L310352

IPC分类号：

H01L310304 H01L3118

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

陈文姬

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-09-25	公开	公开
2016-03-23	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101729914985 IPC(主分类):H01L 31/0352 专利申请号:2013102245314 申请公布日:20130925
2013-10-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101533531618 IPC(主分类):H01L 31/0352 专利申请号:2013102245314 申请日:20130607

共 50 条

[1]

生长在GaAs衬底上的InGaAs薄膜 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

吴平平 ;

李景灵 ;

管云芳 .

中国专利 :CN203288608U ,2013-11-13

[2]

生长在GaAs衬底上n‑InGaAs薄膜及其制备方法 [P].

李国强 ;

张曙光 ;

王凯诚 .

中国专利 :CN106449811A ,2017-02-22

[3]

生长在GaAs衬底上n‑InGaAs薄膜 [P].

李国强 ;

张曙光 ;

王凯诚 .

中国专利 :CN206116416U ,2017-04-19

[4]

在GaAs衬底上生长InGaAs薄膜的方法 [P].

李国强 ;

高芳亮 .

中国专利 :CN102560634A ,2012-07-11

[5]

生长在Si衬底上的InGaAs薄膜及其制备方法 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

管云芳 ;

温雷 ;

李景灵 ;

张曙光 .

中国专利 :CN103762256A ,2014-04-30

[6]

生长在Si衬底上的GaAs薄膜及其制备方法 [P].

李国强 ;

温雷 ;

高芳亮 ;

张曙光 ;

李景灵 ;

管云芳 .

中国专利 :CN104835718B ,2015-08-12

[7]

生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点及其制备方法 [P].

李国强 ;

张曙光 ;

温雷 ;

高芳亮 ;

徐珍珠 .

中国专利 :CN107068823A ,2017-08-18

[8]

生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点 [P].

李国强 ;

张曙光 ;

温雷 ;

高芳亮 ;

徐珍珠 .

中国专利 :CN206564262U ,2017-10-17

[9]

生长在Si衬底上的GaAs薄膜及制备方法 [P].

李国强 ;

温雷 ;

高芳亮 ;

张曙光 ;

李景灵 ;

龚振远 .

中国专利 :CN105140104B ,2015-12-09

[10]

一种生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜及其制备方法 [P].

李国强 ;

李景灵 ;

高芳亮 ;

管云芳 ;

温雷 ;

张曙光 .

中国专利 :CN103943700A ,2014-07-23

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