生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710057826.5

申请日：

2017-01-23

公开(公告)号：

CN107068823A

公开(公告)日：

2017-08-18

发明(设计)人：

李国强张曙光温雷高芳亮徐珍珠

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3332 H01L3334

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

陈文姬

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101747186340 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:2017100578265 申请日:20170123
2017-08-18	公开	公开

共 50 条

[1]

生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点 [P].

李国强 ;

张曙光 ;

温雷 ;

高芳亮 ;

徐珍珠 .

中国专利 :CN206564262U ,2017-10-17

[2]

生长在GaAs衬底上的InAs量子点及其制备方法 [P].

张曙光 ;

李国强 ;

温雷 ;

高芳亮 ;

李景灵 .

中国专利 :CN105006426B ,2015-10-28

[3]

生长在GaAs衬底上的InAs量子点 [P].

张曙光 ;

李国强 ;

温雷 ;

高芳亮 ;

李景灵 .

中国专利 :CN204991654U ,2016-01-20

[4]

生长在GaAs(115)A衬底上的多层InGaAs量子点层 [P].

张曙光 ;

温雷 ;

谭毅瑛 ;

娄金城 .

中国专利 :CN221319865U ,2024-07-12

[5]

生长在GaAs衬底上的InGaAs薄膜及其制备方法 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

吴平平 ;

李景灵 ;

管云芳 .

中国专利 :CN103325863A ,2013-09-25

[6]

生长在GaAs衬底上的InGaAs薄膜 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

吴平平 ;

李景灵 ;

管云芳 .

中国专利 :CN203288608U ,2013-11-13

[7]

生长在GaAs衬底上n‑InGaAs薄膜及其制备方法 [P].

李国强 ;

张曙光 ;

王凯诚 .

中国专利 :CN106449811A ,2017-02-22

[8]

生长在GaAs衬底上n‑InGaAs薄膜 [P].

李国强 ;

张曙光 ;

王凯诚 .

中国专利 :CN206116416U ,2017-04-19

[9]

在GaAs衬底上生长InGaAs薄膜的方法 [P].

李国强 ;

高芳亮 .

中国专利 :CN102560634A ,2012-07-11

[10]

一种生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜及其制备方法 [P].

李国强 ;

李景灵 ;

高芳亮 ;

管云芳 ;

温雷 ;

张曙光 .

中国专利 :CN103943700A ,2014-07-23

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