一种ZnO基自支撑薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710933791.7

申请日：

2017-10-10

公开(公告)号：

CN107887452A

公开(公告)日：

2018-04-06

发明(设计)人：

叶建东张彦芳任芳芳朱顺明唐东明杨燚顾书林

申请人：

申请人地址：

210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号

IPC主分类号：

H01L310216

IPC分类号：

H01L310264 H01L3118

代理机构：

南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249

代理人：

陈建和

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-06	公开	公开
2020-07-03	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 31/0216 申请公布日:20180406
2018-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0216 申请日:20171010

共 50 条

[1]

一种ZnO基薄膜及其制备方法 [P].

吕建国 ;

江庆军 ;

袁禹亮 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN103710675A ,2014-04-09

[2]

一种磁控溅射掺杂ZnO基薄膜的制备方法 [P].

马晓翠 ;

吕有明 ;

柳文军 ;

曹培江 ;

朱德亮 ;

贾芳 ;

黄保 ;

李清华 ;

盛国浩 ;

叶家聪 ;

向恢复 .

中国专利 :CN101768728A ,2010-07-07

[3]

一种双层绒面ZnO基薄膜的制备方法 [P].

吕建国 ;

江庆军 ;

冯丽莎 ;

袁禹亮 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN103572238A ,2014-02-12

[4]

一种硅/石墨烯基自支撑薄膜的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111224074A ,2020-06-02

[5]

一种完整性GaN基薄膜的制备方法 [P].

林雪娇 ;

潘群峰 ;

吴志强 ;

叶孟欣 ;

黄慧君 ;

陈文欣 ;

洪灵愿 .

中国专利 :CN101660206B ,2010-03-03

[6]

一种自陷光ZnO基透明导电玻璃的制备方法 [P].

彭寿 ;

马立云 ;

姚婷婷 ;

甘治平 ;

李刚 ;

汤永康 ;

杨勇 ;

金克武 ;

曹欣 ;

徐根保 .

中国专利 :CN106784089A ,2017-05-31

[7]

一种自支撑薄膜及其制备方法 [P].

张诚 ;

许若腾 ;

刘军磊 ;

张凯立 ;

罗俊涛 .

中国专利 :CN110349756A ,2019-10-18

[8]

一种绒面ZnO基薄膜的盐溶液腐蚀方法 [P].

叶志镇 ;

王倩 ;

吕建国 .

中国专利 :CN102270568A ,2011-12-07

[9]

一种绒面ZnO基薄膜的碱性溶液腐蚀方法 [P].

吕建国 ;

王倩 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN102222727A ,2011-10-19

[10]

GaN基薄膜芯片的制备方法 [P].

闫占彪 ;

赵汉民 ;

朱浩 ;

周印华 ;

熊传兵 ;

陈栋 .

中国专利 :CN102790137B ,2012-11-21

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