一种磁控溅射掺杂ZnO基薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010042779.5

申请日：

2010-01-15

公开(公告)号：

CN101768728A

公开(公告)日：

2010-07-07

发明(设计)人：

马晓翠吕有明柳文军曹培江朱德亮贾芳黄保李清华盛国浩叶家聪向恢复

申请人：

申请人地址：

518000广东省深圳市南山区南海大道2336号

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

C23C1408 C23C1454 C23C1458

代理机构：

深圳中一专利商标事务所 44237

代理人：

张全文

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-07-07	公开	公开
2010-09-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005579518 IPC(主分类):C23C 14/35 专利申请号:2010100427795 申请日:20100115
2012-11-21	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101467342693 IPC(主分类):C23C 14/35 专利申请号:2010100427795 申请公布日:20100707

共 50 条

[1]

RF磁控溅射制备单晶透明ZnO薄膜的方法 [P].

曾祥斌 ;

杨艳艳 ;

王小锦 ;

李青 ;

李民英 ;

陈宇 .

中国专利 :CN101845615A ,2010-09-29

[2]

利用直流磁控溅射制备高阻透明ZnO薄膜的方法 [P].

黄富强 ;

万冬云 ;

汪宙 .

中国专利 :CN102312191B ,2012-01-11

[3]

一种磁控溅射制备BMN薄膜的方法 [P].

高虹 .

中国专利 :CN105220123A ,2016-01-06

[4]

一种采用磁控溅射制备薄膜的方法 [P].

朱嘉琦 ;

姜春竹 ;

韩潇 ;

梁军 .

中国专利 :CN100494479C ,2008-01-09

[5]

一种ZnO基薄膜及其制备方法 [P].

吕建国 ;

江庆军 ;

袁禹亮 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN103710675A ,2014-04-09

[6]

一种金属掺杂ZnO薄膜的制备方法 [P].

言智 ;

张恩霞 ;

周细应 ;

何佳 ;

于治水 .

中国专利 :CN101403099A ,2009-04-08

[7]

一种制备Ga掺杂ZnO薄膜的方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108517514A ,2018-09-11

[8]

一种ZnO基自支撑薄膜的制备方法 [P].

叶建东 ;

张彦芳 ;

任芳芳 ;

朱顺明 ;

唐东明 ;

杨燚 ;

顾书林 .

中国专利 :CN107887452A ,2018-04-06

[9]

一种双层绒面ZnO基薄膜的制备方法 [P].

吕建国 ;

江庆军 ;

冯丽莎 ;

袁禹亮 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN103572238A ,2014-02-12

[10]

一种磁控溅射半球面薄膜的制备方法 [P].

朱嘉琦 ;

韩潇 ;

姜春竹 ;

韩杰才 .

中国专利 :CN101100740A ,2008-01-09

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