金属氧化物后处理方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880050680.4

申请日：

2018-08-01

公开(公告)号：

CN110998788A

公开(公告)日：

2020-04-10

发明(设计)人：

佐藤达也刘炜夏立群

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21285 H01L21324

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;赵静

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20180801
2020-04-10	公开	公开

共 50 条

[1]

金属氧化物后处理方法 [P].

佐藤达也 ;

刘炜 ;

夏立群 .

美国专利 :CN110998788B ,2024-08-23

[2]

金属氧化物膜、金属氧化物层叠体及金属氧化物层叠体的制造方法 [P].

饭塚宗明 ;

藤村俊伸 ;

中里克己 ;

佐藤享平 ;

平田纯也 .

日本专利 :CN120051436A ,2025-05-27

[3]

金属氧化物膜的制造方法 [P].

小堀裕之 ;

大川晃次郎 ;

中川博喜 ;

薮内庸介 ;

野村圭介 .

中国专利 :CN101056716B ,2007-10-17

[4]

金属氧化物薄膜及其制造方法 [P].

福久孝治 ;

中岛章 ;

筱原贤次 ;

渡部俊也 ;

大崎寿 ;

芹川正 .

中国专利 :CN1564876A ,2005-01-12

[5]

金属氧化物-硅氧化物分层膜 [P].

普尔凯特·阿加瓦尔 ;

刘培基 ;

拉维·库马尔 ;

詹尼弗·利·佩特拉利亚 ;

伊斯瓦·斯里尼瓦桑 ;

巴特·J·范施拉芬迪克 .

美国专利 :CN119968693A ,2025-05-09

[6]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN105779940A ,2016-07-20

[7]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN105734493B ,2016-07-06

[8]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN105870196A ,2016-08-17

[9]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN104769150A ,2015-07-08

[10]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

日本专利 :CN109065553B ,2025-07-01

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