一种晶体纳米二氧化硅及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010536028.2

申请日：

2020-06-12

公开(公告)号：

CN111646480B

公开(公告)日：

2020-09-11

发明(设计)人：

张治军李小红刘培松高春浩宗兰兰

申请人：

申请人地址：

475001 河南省开封市明伦街85号

IPC主分类号：

C01B3318

IPC分类号：

B82Y3000 B82Y4000 C09C130 C09C312

代理机构：

郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104

代理人：

蔡艳

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-21	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):C01B 33/18 变更事项:发明人变更前:张治军李小红刘培松高春浩变更后:张治军李小红刘培松高春浩宗兰兰
2020-10-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 33/18 申请日:20200612
2021-12-28	授权	授权
2020-09-11	公开	公开

共 50 条

[1]

一种疏水性纳米二氧化硅的制备方法 [P].

张治军 ;

李小红 ;

刘凯 ;

李庆华 ;

蔡天聪 .

中国专利 :CN102502663A ,2012-06-20

[2]

一种纳米二氧化硅的制备方法 [P].

蒋建华 .

中国专利 :CN108455620A ,2018-08-28

[3]

一种超疏水纳米二氧化硅及其制备方法 [P].

李明春 ;

陈琦 ;

辛梅华 ;

张涛 ;

王林 .

中国专利 :CN117843006B ,2025-11-07

[4]

一种超疏水纳米二氧化硅及其制备方法 [P].

李明春 ;

陈琦 ;

辛梅华 ;

张涛 ;

王林 .

中国专利 :CN117843006A ,2024-04-09

[5]

纳米二氧化硅制备方法 [P].

任天斌 ;

肖国权 ;

韩宇 .

中国专利 :CN103897436A ,2014-07-02

[6]

一种高稳定疏水改性纳米二氧化硅及其制备方法 [P].

刘培松 ;

郭赛 ;

贺二朋 ;

牛延辰 .

中国专利 :CN115029018A ,2022-09-09

[7]

一种高稳定疏水改性纳米二氧化硅及其制备方法 [P].

刘培松 ;

郭赛 ;

贺二朋 ;

牛延辰 .

中国专利 :CN115029018B ,2024-07-02

[8]

一种纳米二氧化硅及其制备方法 [P].

宁海金 ;

高亮亮 ;

宁梓颀 ;

钟建平 ;

徐先进 ;

马江平 .

中国专利 :CN119461396A ,2025-02-18

[9]

一种纳米二氧化硅微粒制备方法 [P].

张治军 ;

曹智 ;

李小红 ;

杜祖亮 .

中国专利 :CN1704452A ,2005-12-07

[10]

一种纳米二氧化硅驱油剂及其制备方法和应用 [P].

李小红 ;

张治军 ;

刘培松 ;

董彦宇 ;

牛利永 ;

吴志申 ;

刘维民 .

中国专利 :CN112226221B ,2021-01-15

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