一种疏水性纳米二氧化硅的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110354758.1
申请日
2011-11-10
公开(公告)号
CN102502663A
公开(公告)日
2012-06-20
发明(设计)人
张治军 李小红 刘凯 李庆华 蔡天聪
申请人
申请人地址
475001 河南省开封市明伦街85号
IPC主分类号
C01B3312
IPC分类号
B82Y4000
代理机构
郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104
代理人
田小伍;黄伟
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种疏水性纳米二氧化硅的制备方法 [P]. 
郑岩 ;
刘忠 ;
刘鹏涛 ;
司传领 ;
惠岚峰 .
中国专利 :CN101205423A ,2008-06-25
[2]
一种疏水性纳米二氧化硅的制备方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN109052420A ,2018-12-21
[3]
一种晶体纳米二氧化硅及其制备方法 [P]. 
张治军 ;
李小红 ;
刘培松 ;
高春浩 ;
宗兰兰 .
中国专利 :CN111646480B ,2020-09-11
[4]
一种超疏水纳米二氧化硅及其制备方法 [P]. 
李明春 ;
陈琦 ;
辛梅华 ;
张涛 ;
王林 .
中国专利 :CN117843006B ,2025-11-07
[5]
一种超疏水纳米二氧化硅及其制备方法 [P]. 
李明春 ;
陈琦 ;
辛梅华 ;
张涛 ;
王林 .
中国专利 :CN117843006A ,2024-04-09
[6]
一种超疏水性纳米二氧化硅膜的制备方法 [P]. 
许珂敬 ;
张迎迎 ;
孙庆文 .
中国专利 :CN103102082A ,2013-05-15
[7]
一种纳米二氧化硅的制备方法 [P]. 
蒋建华 .
中国专利 :CN108455620A ,2018-08-28
[8]
一种粒径可控的疏水性纳米二氧化硅的制备方法 [P]. 
郑大锋 ;
周耿槟 ;
皮丕辉 ;
黄二梅 ;
文秀芳 ;
蔡智奇 ;
程江 ;
杨卓如 .
中国专利 :CN101880478A ,2010-11-10
[9]
制备疏水性二氧化硅的方法 [P]. 
乔基姆·K·弗洛斯 ;
威廉·R·威廉斯 ;
德米特里·福米特切夫 .
中国专利 :CN101517012B ,2009-08-26
[10]
疏水性二氧化硅的制备方法 [P]. 
王重辉 ;
冀运东 ;
许婷 ;
杨小军 .
中国专利 :CN100556964C ,2007-11-14