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基于斯格明子的人工突触器件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010631131.5
申请日
:
2020-07-03
公开(公告)号
:
CN111785828B
公开(公告)日
:
2020-10-16
发明(设计)人
:
康旺
李赛
潘彪
杜奥
赵巍胜
申请人
:
申请人地址
:
100191 北京市海淀区学院路37号
IPC主分类号
:
H01L4306
IPC分类号
:
H01L4308
H01L4304
H01L4310
G11C1116
代理机构
:
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人
:
单晓双;孙乳笋
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-11-03
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/06 申请日:20200703
2020-10-16
公开
公开
2022-09-09
授权
授权
共 50 条
[1]
基于斯格明子的自旋忆阻突触器件
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
曾中明
;
论文数:
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机构:
李荣鑫
;
论文数:
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机构:
张宝顺
.
中国专利
:CN113497180B
,2025-02-21
[2]
基于斯格明子的自旋忆阻突触器件
[P].
曾中明
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曾中明
;
李荣鑫
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李荣鑫
;
张宝顺
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张宝顺
.
中国专利
:CN113497180A
,2021-10-12
[3]
一种基于斯格明子的神经元突触的存储器件
[P].
徐家伟
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徐家伟
;
孟德全
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孟德全
;
赵阳
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赵阳
;
程冲
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程冲
;
苏玉荣
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苏玉荣
;
杨昌平
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杨昌平
;
梁世恒
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梁世恒
.
中国专利
:CN113161476A
,2021-07-23
[4]
一种斯格明子人工突触器件及其权值调控方法
[P].
刘嘉豪
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机构:
中国人民解放军国防科技大学
中国人民解放军国防科技大学
刘嘉豪
;
郑玮豪
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机构:
中国人民解放军国防科技大学
中国人民解放军国防科技大学
郑玮豪
;
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机构:
符庭钊
.
中国专利
:CN117371501A
,2024-01-09
[5]
离子插层的人工突触器件及其制备方法
[P].
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机构:
张跃
;
苏兆洋
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机构:
北京科技大学
北京科技大学
苏兆洋
;
论文数:
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机构:
廖庆亮
;
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机构:
赵璇
;
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机构:
荀晓晨
;
刘菁筱
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机构:
北京科技大学
北京科技大学
刘菁筱
;
宣景悦
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机构:
北京科技大学
北京科技大学
宣景悦
;
张珂语
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机构:
北京科技大学
北京科技大学
张珂语
.
中国专利
:CN118382350A
,2024-07-23
[6]
人工突触器件和人工突触器件的制备方法
[P].
张珽
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张珽
;
陆骐峰
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陆骐峰
;
孙富钦
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孙富钦
;
王子豪
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王子豪
.
中国专利
:CN112794279A
,2021-05-14
[7]
神经元受体介导的人工突触器件及其制备方法
[P].
王开洋
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王开洋
;
贾芸芳
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贾芸芳
;
闫小兵
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闫小兵
.
中国专利
:CN113871528A
,2021-12-31
[8]
基于Ti/TaO<sub>x</sub>忆阻器的人工突触器件及其制备方法
[P].
王长长
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机构:
杭州电子科技大学
杭州电子科技大学
王长长
;
崔浩男
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0
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机构:
杭州电子科技大学
杭州电子科技大学
崔浩男
.
中国专利
:CN119486582A
,2025-02-18
[9]
一种适用于神经形态计算的人工突触器件
[P].
罗振
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罗振
;
马超
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马超
;
赵乐天
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赵乐天
;
殷月伟
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殷月伟
;
金西
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金西
;
李晓光
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李晓光
.
中国专利
:CN111640865A
,2020-09-08
[10]
基于磁性斯格明子的人工神经元器件及其制备与使用方法
[P].
金蒙豪
论文数:
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机构:
杭州电子科技大学
杭州电子科技大学
金蒙豪
;
吴佳乐
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机构:
杭州电子科技大学
杭州电子科技大学
吴佳乐
;
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机构:
卢杰
;
论文数:
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机构:
周铁军
.
中国专利
:CN118284316A
,2024-07-02
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