场效应晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080005230.7

申请日：

2010-01-18

公开(公告)号：

CN102292801A

公开(公告)日：

2011-12-21

发明(设计)人：

梅田英和引田正洋上田哲三

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L21338

IPC分类号：

H01L21337 H01L29778 H01L29808 H01L29812

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

徐殿军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-12-21	公开	公开
2012-02-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101180924130 IPC(主分类):H01L 21/338 专利申请号:2010800052307 申请日:20100118
2013-11-06	授权	授权

共 50 条

[1]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

手塚勉 ;

丰田英二 .

中国专利 :CN101404257A ,2009-04-08

[2]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

细木健治 .

中国专利 :CN1189699A ,1998-08-05

[3]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

星真一 ;

伊藤正纪 ;

大来英之 ;

丸井俊治 .

中国专利 :CN101308796A ,2008-11-19

[4]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

D·K·黃 ;

J·金 ;

C·费恩特斯－埃尔南德斯 ;

B·基佩伦 .

中国专利 :CN103403903A ,2013-11-20

[5]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

野田真 .

中国专利 :CN100420032C ,2004-12-01

[6]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

天清宗山 .

中国专利 :CN101826553A ,2010-09-08

[7]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

H·M·纳飞 ;

A·维特 .

中国专利 :CN100464397C ,2007-05-23

[8]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

天清宗山 ;

户塚正裕 .

中国专利 :CN101162731A ,2008-04-16

[9]

场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法 [P].

B·J·帕夫拉克 .

中国专利 :CN1934686B ,2007-03-21

[10]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

小野瑞城 .

中国专利 :CN1560926A ,2005-01-05

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