ZnO/ZnSe/CdSe/MoS2核壳结构薄膜电极的制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810166654.X

申请日：

2018-02-28

公开(公告)号：

CN109979643B

公开(公告)日：

2019-07-05

发明(设计)人：

唐一鸣郑泽校李来胜

申请人：

申请人地址：

510006 广东省广州市番禺区大学城外环西路378号华南师范大学大学城校区化学与环境学院

IPC主分类号：

H01B514

IPC分类号：

C02F130 C02F10134 C02F10138

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

雷月华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-05	公开	公开
2020-05-08	授权	授权
2019-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01B 5/14 申请日:20180228

共 50 条

[1]

MoS2/CdS薄膜电极的制备方法和应用 [P].

唐一鸣 ;

郑泽校 ;

李来胜 .

中国专利 :CN107460513A ,2017-12-12

[2]

ZnO/ZnS/FeS2核壳结构阵列薄膜及制备方法 [P].

汪牡丹 ;

陈陈旭 ;

方攸同 ;

孟亮 ;

刘嘉斌 .

中国专利 :CN104638066A ,2015-05-20

[3]

一种CdS/MoS2/Mo双层核壳结构光电极 [P].

黄柏标 ;

朱相林 ;

王朋 ;

王泽岩 ;

张晓阳 ;

秦晓燕 ;

刘媛媛 ;

张倩倩 .

中国专利 :CN107419294B ,2017-12-01

[4]

一种ZnS/ZnO核壳结构及其制备方法和应用 [P].

贺涛 ;

李盼 .

中国专利 :CN107456980A ,2017-12-12

[5]

Fe掺杂的MoS2纳米材料及其制备方法和应用 [P].

郎建平 ;

薛江燕 ;

倪春燕 ;

虞虹 .

中国专利 :CN109225274A ,2019-01-18

[6]

一种制备ZnO/CuInS2核壳结构纳米棒薄膜的方法 [P].

刘志锋 ;

李亚彬 ;

雅菁 .

中国专利 :CN103000381B ,2013-03-27

[7]

一种核壳结构电极材料的制备方法和应用 [P].

杜平凡 ;

孙致杰 ;

白冰 ;

税嘉欣 ;

谢翔宇 .

中国专利 :CN118942922A ,2024-11-12

[8]

预成核团簇制备CdSe/ZnSe核/壳幻数团簇的方法 [P].

栾超然 ;

王莎莎 ;

余睽 ;

陈晓琴 ;

王喆 .

中国专利 :CN117551458B ,2025-06-27

[9]

CdSe/CdS核-壳结构量子点的制备方法 [P].

马晓波 ;

姬相玲 ;

聂伟 .

中国专利 :CN101781557B ,2010-07-21

[10]

一种SiO2/MoS2核壳结构微球及其制备方法 [P].

王德宝 ;

宋彩霞 ;

袁金钟 ;

朱义彪 .

中国专利 :CN104694208A ,2015-06-10

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