ZnO/ZnS/FeS2核壳结构阵列薄膜及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510067375.4

申请日：

2015-02-09

公开(公告)号：

CN104638066A

公开(公告)日：

2015-05-20

发明(设计)人：

汪牡丹陈陈旭方攸同孟亮刘嘉斌

申请人：

申请人地址：

310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L310296

代理机构：

浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100

代理人：

黄芳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-02-22	授权	授权
2015-06-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101613558756 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:2015100673754 申请日:20150209
2023-02-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20150209 授权公告日:20170222 终止日期:20220209
2015-05-20	公开	公开

共 50 条

[1]

FeS2薄膜及其制备方法 [P].

汪牡丹 ;

刘嘉斌 ;

黄六一 ;

孟亮 .

中国专利 :CN103872186A ,2014-06-18

[2]

一种FeS2薄膜及其制备方法 [P].

汪牡丹 ;

刘嘉斌 ;

黄六一 ;

孟亮 .

中国专利 :CN103824902A ,2014-05-28

[3]

一种FeS2纳米管薄膜的制备方法 [P].

汪牡丹 ;

薛东鹏 ;

陈陈旭 ;

凌国平 ;

方攸同 ;

孟亮 ;

刘嘉斌 .

中国专利 :CN104638067A ,2015-05-20

[4]

一种核壳结构CuO/ZnO纳米棒阵列及其制备方法 [P].

刘仲武 ;

唐春梅 ;

余红雅 ;

钟喜春 ;

邱万奇 .

中国专利 :CN110438443A ,2019-11-12

[5]

一种ZnO-CuInS2异质核壳结构纳米棒阵列的制备方法 [P].

范希梅 ;

邬小凤 ;

李湘奇 ;

李广立 ;

黄瑶翰 .

中国专利 :CN104638064A ,2015-05-20

[6]

一维ZnO/ZnS核壳结构纳米阵列以及单晶ZnS纳米管阵列的制备方法 [P].

孟祥敏 ;

黄兴 .

中国专利 :CN102104079B ,2011-06-22

[7]

ZnO/ZnSe/CdSe/MoS2核壳结构薄膜电极的制备方法和应用 [P].

唐一鸣 ;

郑泽校 ;

李来胜 .

中国专利 :CN109979643B ,2019-07-05

[8]

一种核壳结构ZnO纳米同质节阵列的制备方法 [P].

叶志镇 ;

杨晓朋 ;

吕建国 .

中国专利 :CN102320758A ,2012-01-18

[9]

一种ZnS包覆的ZnO纳米阵列核壳结构的制备方法 [P].

史伟民 ;

袁安东 ;

张月璐 ;

廖阳 ;

杨伟光 ;

李季戎 ;

钱隽 ;

王国华 ;

王晨 ;

韩洋 ;

沈心蔚 ;

陶媛 .

中国专利 :CN102800747A ,2012-11-28

[10]

一种ZnS包覆ZnO纳米核壳结构复合薄膜的制备方法 [P].

彭寿 ;

沈洪雪 ;

姚婷婷 ;

杨勇 ;

李刚 .

中国专利 :CN108754442A ,2018-11-06

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