多层陶瓷电子元件的间隔层的介电糊

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480035878.3

申请日：

2004-12-14

公开(公告)号：

CN1890318A

公开(公告)日：

2007-01-03

发明(设计)人：

佐藤茂树野村武史

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C08L2904

IPC分类号：

C08K504 H01G430 H01G412 H01B300

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

龙传红

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-07-01	授权	授权
2007-01-03	公开	公开
2015-02-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101597012659 IPC(主分类):C08L 29/04 专利号:ZL2004800358783 申请日:20041214 授权公告日:20090701 终止日期:20131214

共 50 条

[1]

多层陶瓷电子元件的电极层的导电糊和制造多层陶瓷电子元件的多层单元的方法 [P].

佐藤茂树 ;

野村武史 .

中国专利 :CN1883011A ,2006-12-20

[2]

用于多层陶瓷电子元件的介电糊和制造多层陶瓷电子元件的多层单元的方法 [P].

佐藤茂树 ;

野村武史 .

中国专利 :CN1946654A ,2007-04-11

[3]

用于多层陶瓷电子元件间隔层的介电糊剂 [P].

佐藤茂树 ;

野村武史 .

中国专利 :CN1894334A ,2007-01-10

[4]

用于多层陶瓷电子元件的介电糊和制造多层陶瓷电子元件的多层单元的方法 [P].

佐藤茂树 ;

野村武史 .

中国专利 :CN100497258C ,2007-04-04

[5]

多层陶瓷电子元件的电极层的导电糊和制造多层陶瓷电子元件的多层单元的方法 [P].

佐藤茂树 ;

野村武史 .

中国专利 :CN1886807A ,2006-12-27

[6]

多层陶瓷电子元件的导电糊以及制造多层陶瓷电子元件的多层单元的方法 [P].

佐藤茂树 ;

野村武史 .

中国专利 :CN100587856C ,2007-02-28

[7]

多层陶瓷电子元件用介电糊的制备方法 [P].

佐藤茂树 ;

山口晃 .

中国专利 :CN1860004A ,2006-11-08

[8]

多层陶瓷电子元件的导电糊以及制造多层陶瓷电子元件的多层单元的方法 [P].

佐藤茂树 ;

野村武史 .

中国专利 :CN1926641A ,2007-03-07

[9]

介电陶瓷组合物和多层电子元件 [P].

田村浩 ;

佐野晴信 .

中国专利 :CN1890196A ,2007-01-03

[10]

介电组合物及应用该介电组合物的多层陶瓷电子元件 [P].

姜晟馨 ;

李奇容 ;

张澣娜 ;

崔斗源 ;

崔宰宪 ;

宋旻星 .

中国专利 :CN103964840A ,2014-08-06

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