用于多层陶瓷电子元件的介电糊和制造多层陶瓷电子元件的多层单元的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580013123.8

申请日：

2005-03-16

公开(公告)号：

CN1946654A

公开(公告)日：

2007-04-11

发明(设计)人：

佐藤茂树野村武史

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C04B35634

IPC分类号：

H01B312 H01G412

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

龙传红

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-06-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-05-20	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2007-04-11	公开	公开

共 50 条

[1]

多层陶瓷电子元件的导电糊以及制造多层陶瓷电子元件的多层单元的方法 [P].

佐藤茂树 ;

野村武史 .

中国专利 :CN100587856C ,2007-02-28

[2]

用于多层陶瓷电子元件的介电糊和制造多层陶瓷电子元件的多层单元的方法 [P].

佐藤茂树 ;

野村武史 .

中国专利 :CN100497258C ,2007-04-04

[3]

多层陶瓷电子元件的导电糊以及制造多层陶瓷电子元件的多层单元的方法 [P].

佐藤茂树 ;

野村武史 .

中国专利 :CN1926641A ,2007-03-07

[4]

多层陶瓷电子元件的电极层的导电糊和制造多层陶瓷电子元件的多层单元的方法 [P].

佐藤茂树 ;

野村武史 .

中国专利 :CN1883011A ,2006-12-20

[5]

多层陶瓷电子元件的间隔层的介电糊 [P].

佐藤茂树 ;

野村武史 .

中国专利 :CN1890318A ,2007-01-03

[6]

多层陶瓷电子元件的电极层的导电糊和制造多层陶瓷电子元件的多层单元的方法 [P].

佐藤茂树 ;

野村武史 .

中国专利 :CN1886807A ,2006-12-27

[7]

多层陶瓷电子元件用介电糊的制备方法 [P].

佐藤茂树 ;

山口晃 .

中国专利 :CN1860004A ,2006-11-08

[8]

多层陶瓷电子元件的制造方法 [P].

金炫兑 ;

金承壕 ;

崔钟佑 ;

小野雅章 ;

权祥勋 .

中国专利 :CN103093959A ,2013-05-08

[9]

多层陶瓷电子元件的制造方法 [P].

唐津真弘 ;

佐藤茂树 ;

金杉将明 .

中国专利 :CN1781169A ,2006-05-31

[10]

多层陶瓷电子元件的制造方法 [P].

唐津真弘 ;

佐藤茂树 ;

金杉将明 .

中国专利 :CN1781170A ,2006-05-31

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