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半导体器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201010206850.9
申请日：
2006-09-29
公开(公告)号：
CN101887704A
公开(公告)日：
2010-11-17
发明(设计)人：
秋元健吾
本田达也
曾根宽人
申请人：
申请人地址：
日本神奈川县厚木市
IPC主分类号：
G09G336
IPC分类号：
G09G334
H01L2702
H01L29786
代理机构：
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人：
徐予红
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2014-08-06 | 授权 | 授权 |
| 2010-12-29 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101028082396 IPC(主分类):G09G 3/36 专利申请号:2010102068509 申请日:20060929 |
| 2010-11-17 | 公开 | 公开 |