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半导体器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201010206970.9
申请日：
2006-09-29
公开(公告)号：
CN101887857A
公开(公告)日：
2010-11-17
发明(设计)人：
秋元健吾
本田达也
曾根宽人
申请人：
申请人地址：
日本神奈川县厚木市
IPC主分类号：
H01L2134
IPC分类号：
H01L29786
H01L2904
代理机构：
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人：
曲卫涛;王忠忠
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2010-11-17 | 公开 | 公开 |
| 2010-12-29 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101028082388 IPC(主分类):H01L 21/34 专利申请号:2010102069709 申请日:20060929 |
| 2013-03-27 | 授权 | 授权 |