沟槽栅IGBT芯片的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810397165.5

申请日：

2018-04-28

公开(公告)号：

CN110416079A

公开(公告)日：

2019-11-05

发明(设计)人：

姚尧罗海辉肖强

申请人：

申请人地址：

412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号

IPC主分类号：

H01L21331

IPC分类号：

H01L29739

代理机构：

北京聿宏知识产权代理有限公司 11372

代理人：

吴大建;陈伟

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/331 申请公布日:20191105
2020-10-23	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/331 登记生效日:20200929 变更事项:申请人变更前权利人:株洲中车时代电气股份有限公司变更后权利人:株洲中车时代半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号变更后权利人:412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室
2019-11-05	公开	公开
2019-11-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/331 申请日:20180428

共 50 条

[1]

沟槽栅IGBT制作方法及沟槽栅IGBT [P].

刘国友 ;

朱利恒 ;

黄建伟 ;

罗海辉 ;

谭灿健 ;

刘根 .

中国专利 :CN106910767A ,2017-06-30

[2]

沟槽台阶栅IGBT芯片的制作方法 [P].

朱春林 ;

罗海辉 ;

刘国友 ;

戴小平 ;

肖强 ;

覃荣震 .

中国专利 :CN108831832A ,2018-11-16

[3]

沟槽栅IGBT器件的制作方法 [P].

潘嘉 ;

杨继业 ;

黄璇 ;

孙鹏 .

中国专利 :CN111785629A ,2020-10-16

[4]

沟槽栅IGBT及沟槽栅IGBT制作方法 [P].

刘国友 ;

朱利恒 ;

黄建伟 ;

谭灿健 ;

罗海辉 ;

杨鑫著 .

中国专利 :CN106898549A ,2017-06-27

[5]

一种沟槽栅IGBT芯片及其制作方法 [P].

金明星 .

中国专利 :CN118116961A ,2024-05-31

[6]

一种沟槽栅IGBT芯片及其制作方法 [P].

金明星 .

中国专利 :CN118116961B ,2024-10-22

[7]

沟槽栅IGBT制作方法、沟槽栅IGBT及电子装置 [P].

郑大燮 ;

刘博 ;

陈德艳 .

中国专利 :CN106257627A ,2016-12-28

[8]

沟槽栅IGBT及制作方法 [P].

黄璇 .

中国专利 :CN106876453A ,2017-06-20

[9]

一种沟槽栅IGBT制作方法 [P].

刘勇强 ;

曾丹 ;

敖利波 ;

肖婷 ;

史波 .

中国专利 :CN112768356A ,2021-05-07

[10]

一种沟槽栅IGBT制作方法 [P].

刘勇强 ;

曾丹 ;

敖利波 ;

肖婷 ;

史波 .

中国专利 :CN112768356B ,2024-01-23

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