沟槽栅IGBT器件的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010600470.7

申请日：

2020-06-28

公开(公告)号：

CN111785629A

公开(公告)日：

2020-10-16

发明(设计)人：

潘嘉杨继业黄璇孙鹏

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21331

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

罗雅文

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/331 申请日:20200628
2020-10-16	公开	公开

共 50 条

[1]

沟槽栅IGBT制作方法及沟槽栅IGBT [P].

刘国友 ;

朱利恒 ;

黄建伟 ;

罗海辉 ;

谭灿健 ;

刘根 .

中国专利 :CN106910767A ,2017-06-30

[2]

沟槽栅IGBT制作方法、沟槽栅IGBT及电子装置 [P].

郑大燮 ;

刘博 ;

陈德艳 .

中国专利 :CN106257627A ,2016-12-28

[3]

一种沟槽栅IGBT器件及其制作方法 [P].

唐云 ;

罗海辉 ;

何逸涛 ;

罗湘 ;

谭灿健 ;

孙小虎 ;

杜龙欢 .

中国专利 :CN112750695A ,2021-05-04

[4]

沟槽栅IGBT器件、制作方法及仿真方法 [P].

蔡远飞 ;

黄泽军 ;

江洪湖 ;

匡迪 .

中国专利 :CN117038451B ,2024-02-20

[5]

沟槽栅IGBT芯片的制作方法 [P].

姚尧 ;

罗海辉 ;

肖强 .

中国专利 :CN110416079A ,2019-11-05

[6]

一种沟槽栅IGBT器件结构及其制作方法 [P].

许高潮 ;

薛璐 ;

张海涛 .

中国专利 :CN109461769B ,2024-03-12

[7]

一种沟槽栅IGBT器件结构及其制作方法 [P].

许高潮 ;

薛璐 ;

张海涛 .

中国专利 :CN109461769A ,2019-03-12

[8]

具有沟槽栅的IGBT器件的制造方法 [P].

潘嘉 ;

杨继业 ;

陈冲 .

中国专利 :CN111785627A ,2020-10-16

[9]

沟槽栅结构的制作方法 [P].

潘嘉 ;

杨继业 ;

黄璇 ;

张同博 .

中国专利 :CN111785618A ,2020-10-16

[10]

IGBT器件的制作方法 [P].

潘嘉 ;

杨继业 ;

冯超 .

中国专利 :CN111883423A ,2020-11-03

← 1 2 3 4 5 →