一种沟槽栅IGBT器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011450568.5

申请日：

2020-12-09

公开(公告)号：

CN112750695A

公开(公告)日：

2021-05-04

发明(设计)人：

唐云罗海辉何逸涛罗湘谭灿健孙小虎杜龙欢

申请人：

申请人地址：

412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L29423 H01L29739 H01L21331

代理机构：

北京聿宏知识产权代理有限公司 11372

代理人：

吴大建;陈敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-04	公开	公开
2021-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20201209

共 50 条

[1]

沟槽栅IGBT器件的制作方法 [P].

潘嘉 ;

杨继业 ;

黄璇 ;

孙鹏 .

中国专利 :CN111785629A ,2020-10-16

[2]

一种沟槽栅IGBT器件结构及其制作方法 [P].

许高潮 ;

薛璐 ;

张海涛 .

中国专利 :CN109461769B ,2024-03-12

[3]

一种沟槽栅IGBT器件结构及其制作方法 [P].

许高潮 ;

薛璐 ;

张海涛 .

中国专利 :CN109461769A ,2019-03-12

[4]

一种沟槽栅IGBT器件及其制作方法 [P].

罗湘 ;

孙小虎 ;

杜龙欢 ;

唐云 ;

谭灿健 .

中国专利 :CN106783607A ,2017-05-31

[5]

沟槽栅IGBT制作方法及沟槽栅IGBT [P].

刘国友 ;

朱利恒 ;

黄建伟 ;

罗海辉 ;

谭灿健 ;

刘根 .

中国专利 :CN106910767A ,2017-06-30

[6]

一种沟槽栅IGBT芯片及其制作方法 [P].

金明星 .

中国专利 :CN118116961A ,2024-05-31

[7]

一种沟槽栅IGBT芯片及其制作方法 [P].

金明星 .

中国专利 :CN118116961B ,2024-10-22

[8]

沟槽栅IGBT器件、制作方法及仿真方法 [P].

蔡远飞 ;

黄泽军 ;

江洪湖 ;

匡迪 .

中国专利 :CN117038451B ,2024-02-20

[9]

一种沟槽栅IGBT制作方法 [P].

刘勇强 ;

曾丹 ;

敖利波 ;

肖婷 ;

史波 .

中国专利 :CN112768356A ,2021-05-07

[10]

一种沟槽栅IGBT制作方法 [P].

刘勇强 ;

曾丹 ;

敖利波 ;

肖婷 ;

史波 .

中国专利 :CN112768356B ,2024-01-23

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