沟槽栅结构的制作方法

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专利类型
发明
申请号
CN202010600400.1
申请日
2020-06-28
公开(公告)号
CN111785618A
公开(公告)日
2020-10-16
发明(设计)人
潘嘉 杨继业 黄璇 张同博
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号
H01L2128
IPC分类号
H01L29423
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
罗雅文
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
沟槽栅IGBT器件的制作方法 [P]. 
潘嘉 ;
杨继业 ;
黄璇 ;
孙鹏 .
中国专利 :CN111785629A ,2020-10-16
[2]
沟槽栅器件及其制作方法 [P]. 
赵龙杰 .
中国专利 :CN111883515A ,2020-11-03
[3]
沟槽栅IGBT制作方法、沟槽栅IGBT及电子装置 [P]. 
郑大燮 ;
刘博 ;
陈德艳 .
中国专利 :CN106257627A ,2016-12-28
[4]
沟槽栅IGBT制作方法及沟槽栅IGBT [P]. 
刘国友 ;
朱利恒 ;
黄建伟 ;
罗海辉 ;
谭灿健 ;
刘根 .
中国专利 :CN106910767A ,2017-06-30
[5]
沟槽栅IGBT芯片的制作方法 [P]. 
姚尧 ;
罗海辉 ;
肖强 .
中国专利 :CN110416079A ,2019-11-05
[6]
一种沟槽栅功率器件栅极制作方法 [P]. 
姚尧 ;
罗海辉 ;
肖强 .
中国专利 :CN110459466A ,2019-11-15
[7]
一种沟槽栅IGBT器件结构及其制作方法 [P]. 
许高潮 ;
薛璐 ;
张海涛 .
中国专利 :CN109461769B ,2024-03-12
[8]
一种沟槽栅IGBT器件结构及其制作方法 [P]. 
许高潮 ;
薛璐 ;
张海涛 .
中国专利 :CN109461769A ,2019-03-12
[9]
沟槽栅型超结IGBT器件结构及制作方法 [P]. 
程炜涛 ;
姚阳 .
中国专利 :CN114823885A ,2022-07-29
[10]
浅沟槽隔离结构的制作方法 [P]. 
禹国宾 .
中国专利 :CN102487034A ,2012-06-06