一种沟槽栅功率器件栅极制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810426855.9
申请日
2018-05-07
公开(公告)号
CN110459466A
公开(公告)日
2019-11-15
发明(设计)人
姚尧 罗海辉 肖强
申请人
申请人地址
412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号
IPC主分类号
H01L2128
IPC分类号
代理机构
北京聿宏知识产权代理有限公司 11372
代理人
吴大建;陈伟
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[1]
沟槽栅MOS功率器件及其栅极制作方法 [P]. 
姚尧 ;
罗海辉 ;
肖强 ;
何逸涛 ;
刘葳 ;
罗湘 .
中国专利 :CN111403476A ,2020-07-10
[2]
沟槽功率器件的制作方法 [P]. 
沈思杰 ;
张怡 .
中国专利 :CN103021869A ,2013-04-03
[3]
沟槽功率器件及其制作方法 [P]. 
沈思杰 ;
黄锦才 .
中国专利 :CN103871901A ,2014-06-18
[4]
一种沟槽功率器件的制作方法 [P]. 
唐怡 .
中国专利 :CN105590857A ,2016-05-18
[5]
沟槽功率器件及其制作方法 [P]. 
刘宪周 .
中国专利 :CN103871840A ,2014-06-18
[6]
沟槽功率器件及其制作方法 [P]. 
刘宪周 .
中国专利 :CN103839780A ,2014-06-04
[7]
沟槽功率器件及制作方法 [P]. 
杨彦涛 ;
赵金波 ;
陈琛 ;
梅良波 ;
彭博威 .
中国专利 :CN106057681A ,2016-10-26
[8]
沟槽栅IGBT器件的制作方法 [P]. 
潘嘉 ;
杨继业 ;
黄璇 ;
孙鹏 .
中国专利 :CN111785629A ,2020-10-16
[9]
沟槽栅功率器件及其制造方法 [P]. 
李东升 .
中国专利 :CN111370463A ,2020-07-03
[10]
沟槽栅及沟槽栅功率器件的制作方法 [P]. 
平延磊 ;
黄文康 ;
曾伟雄 .
中国专利 :CN112466747A ,2021-03-09