光刻掩膜以及光刻方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010022717.8

申请日：

2010-01-12

公开(公告)号：

CN102129167B

公开(公告)日：

2011-07-20

发明(设计)人：

黄宜斌安辉

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

G03F146

IPC分类号：

G03F700

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李丽

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-10-14	授权	授权
2012-12-19	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101487380134 IPC(主分类):G03F 1/14 专利申请号:2010100227178 变更事项:申请人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:申请人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20121115
2011-07-20	公开	公开
2011-08-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101102910624 IPC(主分类):G03F 1/14 专利申请号:2010100227178 申请日:20100112

共 50 条

[1]

一种光刻方法以及光刻胶掩膜 [P].

请求不公布姓名 ;

张辉 .

中国专利 :CN119024645A ,2024-11-26

[2]

光刻掩膜及其制造方法 [P].

古海裕 ;

朱泽力 ;

王连彬 ;

何云富 ;

陈雄达 ;

李金军 .

中国专利 :CN118377185A ,2024-07-23

[3]

光刻掩膜版的制造方法 [P].

邢滨 ;

张城龙 .

中国专利 :CN107168010A ,2017-09-15

[4]

掩膜版结构和光刻方法 [P].

张新秀 ;

魏姣阳 ;

余仁 ;

单闯 ;

叶伟 .

中国专利 :CN119247688B ,2025-04-25

[5]

掩膜版结构和光刻方法 [P].

张新秀 ;

魏姣阳 ;

余仁 ;

单闯 ;

叶伟 .

中国专利 :CN119247688A ,2025-01-03

[6]

光刻版以及该光刻版的曝光方法 [P].

黄玮 .

中国专利 :CN103246155B ,2013-08-14

[7]

光刻方法及光刻系统 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN117555205A ,2024-02-13

[8]

光刻方法及光刻系统 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN117555205B ,2024-11-29

[9]

光刻曝光方法 [P].

王壮 ;

宋振伟 ;

张其学 ;

樊航 ;

王雷 .

中国专利 :CN119200339A ,2024-12-27

[10]

掩膜版、光刻系统以及半导体器件的制作方法 [P].

张翩 ;

谭锦丹 ;

孙畅 .

中国专利 :CN113900350A ,2022-01-07

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