制备p型氧化锌半导体体材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810050450.6

申请日：

2008-03-10

公开(公告)号：

CN101311364A

公开(公告)日：

2008-11-26

发明(设计)人：

秦杰明姚斌张吉英申德振赵东旭张振中李炳辉

申请人：

申请人地址：

130033吉林省长春市东南湖大路16号

IPC主分类号：

C30B2916

IPC分类号：

C30B2802 H01L310296

代理机构：

长春菁华专利商标代理事务所

代理人：

赵炳仁

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-05-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101446753045 IPC(主分类):C30B 29/16 专利号:ZL2008100504506 申请日:20080310 授权公告日:20101215 终止日期:20120310
2008-11-26	公开	公开
2010-12-15	授权	授权
2009-01-21	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

制备n型氧化锌半导体透明陶瓷的方法 [P].

秦杰明 ;

姚斌 ;

张吉英 ;

申德振 ;

赵东旭 ;

张振中 ;

李炳辉 .

中国专利 :CN101289317A ,2008-10-22

[2]

p型氧化锌材料的制备方法 [P].

黄丰 ;

丁凯 ;

林文文 ;

张继业 ;

郑清洪 ;

黄嘉魁 ;

黄瑾 ;

湛智兵 ;

陈达贵 .

中国专利 :CN102719893B ,2012-10-10

[3]

用n型氧化锌制备p型氧化锌薄膜的方法 [P].

赵东旭 ;

曹萍 ;

吕有明 ;

申德振 ;

李炳辉 .

中国专利 :CN101225549A ,2008-07-23

[4]

应变调制掺杂法制备P型氧化锌半导体薄膜材料的方法 [P].

刘祥林 ;

赵凤瑗 ;

焦春美 ;

于英仪 .

中国专利 :CN1779913A ,2006-05-31

[5]

一种氮掺杂氧化锌p型稀磁半导体材料的制备方法 [P].

林文松 .

中国专利 :CN101599363B ,2009-12-09

[6]

一种氧化锌复合半导体材料的制备方法 [P].

赵宝 ;

史玉兰 .

中国专利 :CN107611009B ,2018-01-19

[7]

一种制备半导体氧化锌纳米材料的方法 [P].

李昕 ;

冯双龙 ;

陆文强 ;

刘双翼 ;

何培培 ;

李奇昆 ;

李振湖 ;

王亮 ;

石彪 .

中国专利 :CN105152201A ,2015-12-16

[8]

一种氧化锌复合半导体材料制备方法 [P].

李志斌 .

中国专利 :CN113858008A ,2021-12-31

[9]

一种可见光响应型氧化锌半导体光电材料的制备方法 [P].

吴迪 ;

林大伟 .

中国专利 :CN105810559A ,2016-07-27

[10]

掺杂氧化锌半导体材料及其制备方法与应用 [P].

兰林锋 ;

彭俊彪 ;

王磊 ;

许伟 ;

曹镛 ;

徐苗 .

中国专利 :CN102296270A ,2011-12-28

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