掺杂氧化锌半导体材料及其制备方法与应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110252193.6

申请日：

2011-08-30

公开(公告)号：

CN102296270A

公开(公告)日：

2011-12-28

发明(设计)人：

兰林锋彭俊彪王磊许伟曹镛徐苗

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

C23C1408

IPC分类号：

C23C1434 H01L29786

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

罗观祥

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-12-28	公开	公开
2013-08-07	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101645433507 IPC(主分类):C23C 14/08 专利号:ZL2011102521936 变更事项:专利权人变更前权利人:华南理工大学变更后权利人:广州新视界光电科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:510640 广东省广州市天河区五山路381号变更后权利人:510730 广东省广州市高新技术产业开发区科学城开源大道11号A1栋第一、二层变更事项:专利权人变更前权利人:广州新视界光电科技有限公司变更后权利人:无登记生效日:20130715
2013-06-19	授权	授权
2012-02-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101185311682 专利申请号:2011102521936 申请日:20110830 IPC(主分类):C23C 14/08

共 50 条

[1]

硼化镧掺杂的氧化物半导体材料及其应用 [P].

兰林锋 ;

彭俊彪 ;

王磊 ;

曹镛 .

中国专利 :CN102351528B ,2012-02-15

[2]

高价态过渡金属掺杂的氧化锌基半导体材料及薄膜晶体管 [P].

许磊 ;

廖蕾 ;

王艳艳 ;

蔡洪涛 ;

张天杰 .

中国专利 :CN104022160B ,2014-09-03

[3]

氧化锌半导体材料及其制备方法、半导体器件以及空调器 [P].

苏宇泉 ;

冯宇翔 ;

毕晓猛 .

中国专利 :CN108364855B ,2018-08-03

[4]

一种氧化锌基合金半导体材料及其制备方法 [P].

陈明明 ;

王正岭 ;

许伯强 .

中国专利 :CN105332048A ,2016-02-17

[5]

氧化锌纳米材料及其制备方法、半导体器件 [P].

李俊杰 ;

张天朔 ;

郭煜林 .

中国专利 :CN113809245A ,2021-12-17

[6]

一种氧化锌基稀磁半导体材料及其制备方法 [P].

严密 ;

顾浩 ;

马天宇 ;

罗伟 .

中国专利 :CN101183587A ,2008-05-21

[7]

一种钠掺杂p型氧化锌纳米棒材料及其制备方法与应用 [P].

季小红 ;

曹发 ;

叶志祥 .

中国专利 :CN107188218A ,2017-09-22

[8]

一种氮掺杂氧化锌p型稀磁半导体材料的制备方法 [P].

林文松 .

中国专利 :CN101599363B ,2009-12-09

[9]

一种氧化锌复合半导体材料制备方法 [P].

李志斌 .

中国专利 :CN113858008A ,2021-12-31

[10]

一种发光波长可调控的铁掺杂氧化锌半导体薄膜制备方法、铁掺杂氧化锌半导体薄膜及应用 [P].

孟祥东 ;

陈胤龙 ;

周玉雪 .

中国专利 :CN119725081A ,2025-03-28

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