一种氧化锌基稀磁半导体材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710160240.8

申请日：

2007-12-14

公开(公告)号：

CN101183587A

公开(公告)日：

2008-05-21

发明(设计)人：

严密顾浩马天宇罗伟

申请人：

申请人地址：

310027浙江省杭州市浙大路38号

IPC主分类号：

H01F140

IPC分类号：

H01F4100 C01G902 B22F916

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司

代理人：

张法高

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-02-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101570139217 IPC(主分类):H01F 1/40 专利号:ZL2007101602408 申请日:20071214 授权公告日:20090610 终止日期:20121214
2008-05-21	公开	公开
2009-06-10	授权	授权

共 50 条

[1]

p型掺杂CuCrO2基稀磁半导体材料及其制备方法 [P].

李达 ;

方晓东 ;

邓赞红 ;

董伟伟 ;

陶汝华 .

中国专利 :CN101488387A ,2009-07-22

[2]

p型掺杂ZnO基稀磁半导体材料及制备方法 [P].

严密 ;

顾浩 ;

马天宇 ;

罗伟 .

中国专利 :CN101183595B ,2008-05-21

[3]

一种氧化锌掺铁稀磁半导体材料的制备方法 [P].

严密 ;

顾浩 ;

马天宇 ;

罗伟 .

中国专利 :CN101183607A ,2008-05-21

[4]

一维介孔晶的氧化锌基铜掺杂稀磁半导体及其制备方法 [P].

戴李宗 ;

肖文军 ;

吴廷华 ;

许一婷 ;

罗伟昂 .

中国专利 :CN102627314B ,2012-08-08

[5]

一维介孔晶的氧化锌基镍掺杂稀磁半导体及其制备方法 [P].

戴李宗 ;

肖文军 ;

吴廷华 ;

许一婷 ;

罗伟昂 .

中国专利 :CN102642861A ,2012-08-22

[6]

一种制备具有室温铁磁性氧化锌基稀磁半导体薄膜的方法 [P].

王金斌 ;

黄贵军 ;

钟向丽 ;

张艳杰 ;

郑学军 ;

周益春 .

中国专利 :CN101086060A ,2007-12-12

[7]

一种氧化锌掺钴室温稀磁半导体材料的制备方法 [P].

王漪 ;

孙雷 ;

韩德东 ;

刘力锋 ;

康晋锋 ;

刘晓彦 ;

张兴 ;

韩汝琦 .

中国专利 :CN101016164A ,2007-08-15

[8]

一种氮掺杂氧化锌p型稀磁半导体材料的制备方法 [P].

林文松 .

中国专利 :CN101599363B ,2009-12-09

[9]

一种用于In基半导体材料的稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

罗曦 ;

张敬霖 ;

于一鹏 ;

卢凤双 ;

李海鹏 ;

刘派 ;

张建生 ;

张建福 ;

祁焱 .

中国专利 :CN116479385B ,2025-12-09

[10]

一种稀磁半导体材料及其制备方法 [P].

赵侃 ;

邓正 ;

靳常青 .

中国专利 :CN103911660B ,2014-07-09

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