一种氧化锌掺钴室温稀磁半导体材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710003498.7

申请日：

2007-02-09

公开(公告)号：

CN101016164A

公开(公告)日：

2007-08-15

发明(设计)人：

王漪孙雷韩德东刘力锋康晋锋刘晓彦张兴韩汝琦

申请人：

申请人地址：

100871北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

C01G102

IPC分类号：

C01G902 C01G5104 H01L2134 C04B35453 C04B35622

代理机构：

北京君尚知识产权代理事务所

代理人：

贾晓玲

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-08-12	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2007-10-10	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-08-15	公开	公开

共 50 条

[1]

一种氧化钛掺钴室温稀磁半导体材料的制备方法 [P].

王漪 ;

孙雷 ;

韩德东 ;

刘力锋 ;

康晋锋 ;

刘晓彦 ;

张兴 ;

韩汝琦 .

中国专利 :CN101017720A ,2007-08-15

[2]

一种氧化锌掺铁稀磁半导体材料的制备方法 [P].

严密 ;

顾浩 ;

马天宇 ;

罗伟 .

中国专利 :CN101183607A ,2008-05-21

[3]

一种氮掺杂氧化锌p型稀磁半导体材料的制备方法 [P].

林文松 .

中国专利 :CN101599363B ,2009-12-09

[4]

一种制备氧化锌掺铁室温磁性半导体的方法 [P].

王锋 ;

黄伟伟 ;

张小婷 ;

连阿强 ;

李珊瑜 .

中国专利 :CN102299257B ,2011-12-28

[5]

一种制备氧化锌掺铜室温磁性半导体的方法 [P].

王锋 ;

黄伟伟 ;

张小婷 ;

林闻 ;

葛永明 .

中国专利 :CN102230212B ,2011-11-02

[6]

一种氧化锌基稀磁半导体材料及其制备方法 [P].

严密 ;

顾浩 ;

马天宇 ;

罗伟 .

中国专利 :CN101183587A ,2008-05-21

[7]

一种制备具有室温铁磁性氧化锌基稀磁半导体薄膜的方法 [P].

王金斌 ;

黄贵军 ;

钟向丽 ;

张艳杰 ;

郑学军 ;

周益春 .

中国专利 :CN101086060A ,2007-12-12

[8]

一种低温制备掺锰氧化锌纳米线稀磁半导体的方法 [P].

张跃 ;

张晓梅 ;

顾有松 ;

黄运华 ;

齐俊杰 ;

廖庆亮 .

中国专利 :CN1810649A ,2006-08-02

[9]

一种Fe掺杂ZnO室温稀磁半导体材料的制备方法 [P].

袁松柳 ;

王永强 ;

田召明 ;

何惊华 .

中国专利 :CN101224904A ,2008-07-23

[10]

一种氧化锌复合半导体材料制备方法 [P].

李志斌 .

中国专利 :CN113858008A ,2021-12-31

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