一种制备氧化锌掺铜室温磁性半导体的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110171037.7

申请日：

2011-06-22

公开(公告)号：

CN102230212B

公开(公告)日：

2011-11-02

发明(设计)人：

王锋黄伟伟张小婷林闻葛永明

申请人：

申请人地址：

362000 福建省泉州市丰泽区东海滨城

IPC主分类号：

C30B110

IPC分类号：

C30B2916

代理机构：

泉州市文华专利代理有限公司 35205

代理人：

戴中生

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101740758596 IPC(主分类):C30B 1/10 专利号:ZL2011101710377 申请日:20110622 授权公告日:20150520 终止日期:20160622
2015-05-20	授权	授权
2011-11-02	公开	公开
2012-09-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101326123397 IPC(主分类):C30B 1/10 专利申请号:2011101710377 申请日:20110622

共 50 条

[1]

一种制备氧化锌掺铁室温磁性半导体的方法 [P].

王锋 ;

黄伟伟 ;

张小婷 ;

连阿强 ;

李珊瑜 .

中国专利 :CN102299257B ,2011-12-28

[2]

一种氧化锌掺钴室温稀磁半导体材料的制备方法 [P].

王漪 ;

孙雷 ;

韩德东 ;

刘力锋 ;

康晋锋 ;

刘晓彦 ;

张兴 ;

韩汝琦 .

中国专利 :CN101016164A ,2007-08-15

[3]

一种制备具有室温铁磁性氧化锌基稀磁半导体薄膜的方法 [P].

王金斌 ;

黄贵军 ;

钟向丽 ;

张艳杰 ;

郑学军 ;

周益春 .

中国专利 :CN101086060A ,2007-12-12

[4]

一种氧化锌复合半导体材料制备方法 [P].

李志斌 .

中国专利 :CN113858008A ,2021-12-31

[5]

一种氧化锌掺铁稀磁半导体材料的制备方法 [P].

严密 ;

顾浩 ;

马天宇 ;

罗伟 .

中国专利 :CN101183607A ,2008-05-21

[6]

一种氧化锌复合半导体材料的制备方法 [P].

赵宝 ;

史玉兰 .

中国专利 :CN107611009B ,2018-01-19

[7]

一种制备半导体氧化锌纳米材料的方法 [P].

李昕 ;

冯双龙 ;

陆文强 ;

刘双翼 ;

何培培 ;

李奇昆 ;

李振湖 ;

王亮 ;

石彪 .

中国专利 :CN105152201A ,2015-12-16

[8]

一种低温制备掺锰氧化锌纳米线稀磁半导体的方法 [P].

张跃 ;

张晓梅 ;

顾有松 ;

黄运华 ;

齐俊杰 ;

廖庆亮 .

中国专利 :CN1810649A ,2006-08-02

[9]

掺镓氧化锌晶体的制备方法 [P].

左艳彬 ;

卢福华 ;

张昌龙 ;

覃世杰 ;

李东平 ;

何小玲 ;

王金亮 ;

周海涛 ;

周卫宁 ;

张海霞 .

中国专利 :CN101748485A ,2010-06-23

[10]

一种制备p型铜、钴共掺氧化锌薄膜的方法 [P].

曹萍 .

中国专利 :CN103132063A ,2013-06-05

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