一种发光波长可调控的铁掺杂氧化锌半导体薄膜制备方法、铁掺杂氧化锌半导体薄膜及应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411808191.4

申请日：

2024-12-10

公开(公告)号：

CN119725081A

公开(公告)日：

2025-03-28

发明(设计)人：

孟祥东陈胤龙周玉雪

申请人：

扬州大学

申请人地址：

225009 江苏省扬州市大学南路88号

IPC主分类号：

H01L21/208

IPC分类号：

H01L21/477

代理机构：

南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204

代理人：

张弛

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省扬州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-28	公开	公开
2025-04-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/208申请日:20241210

共 50 条

[1]

掺杂氧化锌半导体材料及其制备方法与应用 [P].

兰林锋 ;

彭俊彪 ;

王磊 ;

许伟 ;

曹镛 ;

徐苗 .

中国专利 :CN102296270A ,2011-12-28

[2]

一种氧化锌掺铁稀磁半导体材料的制备方法 [P].

严密 ;

顾浩 ;

马天宇 ;

罗伟 .

中国专利 :CN101183607A ,2008-05-21

[3]

应变调制掺杂法制备P型氧化锌半导体薄膜材料的方法 [P].

刘祥林 ;

赵凤瑗 ;

焦春美 ;

于英仪 .

中国专利 :CN1779913A ,2006-05-31

[4]

掺杂氧化锌透明薄膜及其制备方法 [P].

谈一波 ;

吴雪飞 ;

黄琦凯 .

中国专利 :CN103305792A ,2013-09-18

[5]

基于半导体氧化锌薄膜的表面修饰方法 [P].

施利毅 ;

方建慧 ;

刘立 ;

袁帅 ;

赵尹 .

中国专利 :CN102034610A ,2011-04-27

[6]

周期结构宽带隙半导体氧化锌薄膜的制备方法 [P].

张宇 ;

马明 ;

顾宁 .

中国专利 :CN1489182A ,2004-04-14

[7]

一种纳米氧化锌薄膜及氧化锌/氧化铜半导体材料的制备方法 [P].

徐春花 ;

王俊鹏 ;

李炎 ;

刘玉亮 ;

李萍 ;

李香利 .

中国专利 :CN102676975A ,2012-09-19

[8]

一种掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备方法 [P].

张发荣 ;

李建生 ;

王少杰 ;

刘建东 ;

李青超 ;

温子健 .

中国专利 :CN109360691A ,2019-02-19

[9]

一种制备氧化锌薄膜的方法和氧化锌薄膜 [P].

陈莉萍 ;

郭雪祥 ;

何绿 ;

黄仕华 ;

郭海 .

中国专利 :CN105112851A ,2015-12-02

[10]

一种多组分掺杂氧化锌压电薄膜制备方法、薄膜及应用 [P].

徐惠彬 ;

高明 ;

王方方 ;

张虎 .

中国专利 :CN118166326A ,2024-06-11

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