基于半导体氧化锌薄膜的表面修饰方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010290983.9

申请日：

2010-09-21

公开(公告)号：

CN102034610A

公开(公告)日：

2011-04-27

发明(设计)人：

施利毅方建慧刘立袁帅赵尹

申请人：

申请人地址：

200444 上海市宝山区上大路99号

IPC主分类号：

H01G904

IPC分类号：

H01G920 H01M1400 H01L5148

代理机构：

上海上大专利事务所(普通合伙) 31205

代理人：

顾勇华

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-10-10	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101455990139 IPC(主分类):H01G 9/04 专利申请号:2010102909839 申请公布日:20110427
2011-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101079139462 IPC(主分类):H01G 9/04 专利申请号:2010102909839 申请日:20100921
2011-04-27	公开	公开

共 50 条

[1]

形成氧化锌薄膜的方法和使用此薄膜制备半导体元件基体和光电元件的方法 [P].

园田雄一 .

中国专利 :CN1150353C ,1999-11-10

[2]

表面修饰的氧化锌薄膜、有机太阳能电池及其制备方法 [P].

韩云飞 ;

刘博文 ;

潘伟 ;

闫翎鹏 ;

骆群 ;

马昌期 .

中国专利 :CN113292095B ,2021-08-24

[3]

周期结构宽带隙半导体氧化锌薄膜的制备方法 [P].

张宇 ;

马明 ;

顾宁 .

中国专利 :CN1489182A ,2004-04-14

[4]

纳米氧化锌表面修饰方法 [P].

曹智 ;

张治军 .

中国专利 :CN101543466A ,2009-09-30

[5]

一种制备氧化锌薄膜的方法和氧化锌薄膜 [P].

陈莉萍 ;

郭雪祥 ;

何绿 ;

黄仕华 ;

郭海 .

中国专利 :CN105112851A ,2015-12-02

[6]

一种纳米氧化锌薄膜及氧化锌/氧化铜半导体材料的制备方法 [P].

徐春花 ;

王俊鹏 ;

李炎 ;

刘玉亮 ;

李萍 ;

李香利 .

中国专利 :CN102676975A ,2012-09-19

[7]

氧化锌基导体 [P].

庾太焕 ;

李伦圭 ;

刘一焕 ;

郑相澈 .

中国专利 :CN101944402A ,2011-01-12

[8]

制备非晶态透明氧化锌薄膜的方法 [P].

洪瑞金 ;

张大伟 ;

王琦 ;

陶春先 ;

黄元申 ;

盛斌 .

中国专利 :CN103343327A ,2013-10-09

[9]

氧化锌系半导体晶体的制造方法 [P].

大道浩儿 ;

贝渊良和 ;

藤卷宗久 ;

吉川明彦 .

中国专利 :CN101506959A ,2009-08-12

[10]

用n型氧化锌制备p型氧化锌薄膜的方法 [P].

赵东旭 ;

曹萍 ;

吕有明 ;

申德振 ;

李炳辉 .

中国专利 :CN101225549A ,2008-07-23

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