氧化锌系半导体晶体的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780030699.4

申请日：

2007-06-22

公开(公告)号：

CN101506959A

公开(公告)日：

2009-08-12

发明(设计)人：

大道浩儿贝渊良和藤卷宗久吉川明彦

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21363

IPC分类号：

C23C1408 C23C1432 C30B2308 C30B2916

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

雒运朴;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-08-12	公开	公开
2009-10-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2018-07-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/363 申请日:20070622 授权公告日:20120613 终止日期:20170622
2012-06-13	授权	授权

共 50 条

[1]

制造无定形氧化锌半导体层 [P].

Y·吴 ;

Y·李 ;

B·S·翁 .

中国专利 :CN101358339B ,2009-02-04

[2]

使用水解制造氧化锌半导体 [P].

Y·吴 ;

B·S·翁 .

中国专利 :CN101118860A ,2008-02-06

[3]

氧化锌系化合物半导体元件 [P].

中原健 ;

田村谦太郎 .

中国专利 :CN100524859C ,2008-03-19

[4]

氧化锌基半导体发光组件及其制造方法 [P].

陈敏璋 ;

陈星兆 .

中国专利 :CN101540354A ,2009-09-23

[5]

氧化锌系变阻器的制造方法 [P].

五味洋二 .

中国专利 :CN104867638A ,2015-08-26

[6]

氧化锌系化合物半导体发光元件 [P].

中原健 .

中国专利 :CN101147269A ,2008-03-19

[7]

基于半导体氧化锌薄膜的表面修饰方法 [P].

施利毅 ;

方建慧 ;

刘立 ;

袁帅 ;

赵尹 .

中国专利 :CN102034610A ,2011-04-27

[8]

氧化锌基非晶氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

尹盛 ;

李小月 ;

徐东 .

中国专利 :CN103840011A ,2014-06-04

[9]

包括由氧化锌构成的氧化物半导体薄膜层的半导体器件及其制造方法 [P].

平尾孝 ;

平松孝浩 ;

古田守 ;

古田宽 ;

松田时宜 .

中国专利 :CN101356652A ,2009-01-28

[10]

氧化锌晶体及其制备方法 [P].

张昌龙 ;

左艳彬 ;

周卫宁 ;

吕智 ;

霍汉德 ;

卢福华 ;

覃世杰 ;

张海霞 ;

李东平 ;

何小玲 .

中国专利 :CN101723435A ,2010-06-09

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