氧化锌基半导体发光组件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810081961.4

申请日：

2008-02-29

公开(公告)号：

CN101540354A

公开(公告)日：

2009-09-23

发明(设计)人：

陈敏璋陈星兆

申请人：

申请人地址：

台湾省台北市中正区林兴里18邻辛亥路1段7巷11号3楼

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01S530

代理机构：

上海翰鸿律师事务所

代理人：

李佳铭

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-26	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101490775306 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2008100819614 申请公布日:20090923
2009-11-11	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

含氧化锌基透明导电薄膜的半导体发光装置及其制造方法 [P].

李宗炫 ;

李正贤 ;

金起成 ;

尹皙胡 ;

金荣善 .

中国专利 :CN103078035A ,2013-05-01

[2]

氧化锌系半导体晶体的制造方法 [P].

大道浩儿 ;

贝渊良和 ;

藤卷宗久 ;

吉川明彦 .

中国专利 :CN101506959A ,2009-08-12

[3]

制造无定形氧化锌半导体层 [P].

Y·吴 ;

Y·李 ;

B·S·翁 .

中国专利 :CN101358339B ,2009-02-04

[4]

使用水解制造氧化锌半导体 [P].

Y·吴 ;

B·S·翁 .

中国专利 :CN101118860A ,2008-02-06

[5]

氧化锌基导体 [P].

庾太焕 ;

李伦圭 ;

刘一焕 ;

郑相澈 .

中国专利 :CN101944402A ,2011-01-12

[6]

半导体发光组件及其制造方法、半导体发光装置 [P].

小松原聪 ;

上野敏之 ;

福田健一 ;

古田亨 .

中国专利 :CN101432899A ,2009-05-13

[7]

半导体发光组件及其制造方法 [P].

小松原聪 ;

福田健一 ;

大峠忍 ;

古田亨 .

中国专利 :CN101978513A ,2011-02-16

[8]

半导体发光组件及其制造方法 [P].

酒井健滋 ;

池田淳 .

中国专利 :CN105122477A ,2015-12-02

[9]

半导体发光组件及其制造方法 [P].

蔡宗良 ;

张智松 ;

陈泽澎 .

中国专利 :CN1767223A ,2006-05-03

[10]

半导体发光组件及其制造方法 [P].

詹玄塘 .

中国专利 :CN101420000A ,2009-04-29

← 1 2 3 4 5 →