一种镁还原碳包覆氧化亚硅材料及其制备方法、应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010933806.1

申请日：

2020-09-08

公开(公告)号：

CN112186145B

公开(公告)日：

2021-01-05

发明(设计)人：

许家齐齐美洲王辉林少雄

申请人：

申请人地址：

230000 安徽省合肥市新站区岱河路599号

IPC主分类号：

H01M436

IPC分类号：

H01M438 H01M448 H01M462 H01M100525

代理机构：

合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119

代理人：

程笃庆

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01M 4/36 申请日:20200908
2022-06-07	授权	授权
2021-01-05	公开	公开

共 50 条

[1]

一种双层碳包覆的氧化亚硅负极材料及其制备方法和应用 [P].

张小祝 ;

苏敏 ;

陈云 ;

许梦清 .

中国专利 :CN113363479A ,2021-09-07

[2]

一种改性碳包覆氧化亚硅复合材料、制备方法及其应用 [P].

郭军坡 ;

郑刚 ;

王辉 ;

刘会 .

中国专利 :CN108899488A ,2018-11-27

[3]

一种碳包覆氧化亚硅负极材料及其制备方法和锂离子电池 [P].

罗顺 ;

涂飞跃 ;

杨乐之 ;

封青阁 .

中国专利 :CN114464785A ,2022-05-10

[4]

一种碳包覆氧化亚硅负极材料及其制备方法和锂离子电池 [P].

罗顺 ;

涂飞跃 ;

杨乐之 ;

封青阁 .

中国专利 :CN114464785B ,2024-03-22

[5]

一种碳包覆氧化亚硅负极材料及其制备方法和应用 [P].

许家齐 ;

林少雄 ;

王辉 ;

周勇岐 ;

曹勇 .

中国专利 :CN110176601A ,2019-08-27

[6]

一种双碳层包覆氧化亚硅负极材料及其制备方法 [P].

杨文胜 ;

肖晔曈 ;

陈旭 .

中国专利 :CN119008942A ,2024-11-22

[7]

预镁氧化亚硅材料及其制备方法、应用及锂离子电池 [P].

姚佳伟 ;

李波 ;

马飞 ;

张健 ;

冯文乐 ;

宋健 .

中国专利 :CN117613223A ,2024-02-27

[8]

一种氧化亚硅/石墨复合材料及其制备方法、应用 [P].

石先兴 ;

张小祝 ;

许梦清 ;

陈军 .

中国专利 :CN113380992A ,2021-09-10

[9]

一种氧化亚硅基负极材料及其制备与应用 [P].

张朝峰 ;

张龙海 ;

王睿 ;

刘洋洋 .

中国专利 :CN119240709A ,2025-01-03

[10]

一种氧化亚硅基负极材料及其制备与应用 [P].

张朝峰 ;

张龙海 ;

王睿 ;

刘洋洋 .

中国专利 :CN119240709B ,2025-03-18

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