一种双碳层包覆氧化亚硅负极材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310549948.1

申请日：

2023-05-16

公开(公告)号：

CN119008942A

公开(公告)日：

2024-11-22

发明(设计)人：

杨文胜肖晔曈陈旭

申请人：

北京化工大学

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北三环东路15号

IPC主分类号：

H01M4/62

IPC分类号：

H01M4/48 C01B32/05 C01B32/19 C01B33/113

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

福建省三明市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-22	公开	公开

共 50 条

[1]

一种纳米硅镶嵌氧化亚硅/碳复合负极材料及其制备方法 [P].

方道来 ;

王孜强 ;

徐启宇 ;

郑翠红 .

中国专利 :CN119601602A ,2025-03-11

[2]

一种纳米硅镶嵌氧化亚硅/碳复合负极材料及其制备方法 [P].

方道来 ;

王孜强 ;

徐启宇 ;

郑翠红 .

中国专利 :CN119601602B ,2025-09-30

[3]

一种氮磷共掺杂碳包覆改性氧化亚硅负极材料的制备方法 [P].

陈胜洲 ;

陈榕桦 ;

廖梓君 ;

杨文彦 ;

邹汉波 ;

杨伟 .

中国专利 :CN115832263B ,2024-11-15

[4]

一种氧化亚硅负极材料及其制备方法和应用 [P].

朱国斌 ;

郑洪河 ;

石强 ;

郑伟 ;

梁翼瑞 ;

沈鸣 .

中国专利 :CN118545729A ,2024-08-27

[5]

一种铜-锡改性氧化亚硅负极材料及其制备方法 [P].

杨文胜 ;

李琳 .

中国专利 :CN118630164A ,2024-09-10

[6]

长循环氧化亚硅/碳复合负极材料的制备方法 [P].

陈青华 ;

胡盼 ;

刘江平 ;

房冰 ;

肖旦 ;

汤志龙 .

中国专利 :CN110828786A ,2020-02-21

[7]

一种混合导体层包覆氧化亚硅负极材料及其制备方法 [P].

李兆麟 ;

赵海雷 ;

娄燕钦 ;

杨耀宗 .

中国专利 :CN119153651A ,2024-12-17

[8]

一种双层碳包覆的氧化亚硅负极材料及其制备方法和应用 [P].

张小祝 ;

苏敏 ;

陈云 ;

许梦清 .

中国专利 :CN113363479A ,2021-09-07

[9]

软硬碳包覆的纳米硅-氧化亚硅复合负极材料 [P].

方道来 ;

王孜强 ;

徐启宇 ;

郑翠红 .

中国专利 :CN119275240A ,2025-01-07

[10]

一种高首效氧化亚硅负极材料及其制备方法和应用 [P].

郭鑫 ;

余心亮 ;

周翠芳 ;

张元春 ;

汪辉 ;

武志杰 ;

曹干顺 .

中国专利 :CN118198306B ,2025-07-11

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