一种高首效氧化亚硅负极材料及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410295469.6

申请日：

2024-03-14

公开(公告)号：

CN118198306B

公开(公告)日：

2025-07-11

发明(设计)人：

郭鑫余心亮周翠芳张元春汪辉武志杰曹干顺

申请人：

浙江天能储能科技发展有限公司

申请人地址：

313199 浙江省湖州市长兴县画溪街道包桥路18号

IPC主分类号：

H01M4/36

IPC分类号：

H01M4/48 H01M4/58 H01M10/0525 C23C16/30

代理机构：

杭州天勤知识产权代理有限公司 33224

代理人：

沈金龙

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-07-05	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01M 4/36申请日:20240314
2024-07-05	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):H01M 4/36变更事项:申请人变更前:天能帅福得能源股份有限公司变更后:浙江天能储能科技发展有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:313199 浙江省湖州市长兴县画溪街道包桥路18号变更后:313199 浙江省湖州市长兴县画溪街道包桥路18号
2025-07-11	授权	授权
2024-06-14	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高首效氧化亚硅负极材料及其制备方法和应用 [P].

郭鑫 ;

余心亮 ;

周翠芳 ;

张元春 ;

汪辉 ;

武志杰 ;

曹干顺 .

中国专利 :CN118198306A ,2024-06-14

[2]

一种高首效预锂氧化亚硅负极材料及其制备方法和应用 [P].

薛孟尧 ;

宋骞 ;

胥鑫 ;

王凯锋 ;

霍林智 ;

曹新龙 .

中国专利 :CN112271289A ,2021-01-26

[3]

一种高首效氧化亚硅负极材料及其制备方法 [P].

方斌 ;

李胜 ;

李金武 ;

黄世强 ;

赵地磊 .

中国专利 :CN117438554A ,2024-01-23

[4]

一种高首效氧化亚硅负极材料及其制备方法 [P].

方斌 ;

李胜 ;

李金武 ;

黄世强 ;

赵地磊 .

中国专利 :CN117438554B ,2024-04-23

[5]

一种氧化亚硅负极材料及其制备方法和应用 [P].

朱国斌 ;

郑洪河 ;

石强 ;

郑伟 ;

梁翼瑞 ;

沈鸣 .

中国专利 :CN118545729A ,2024-08-27

[6]

一种高首效氧化亚硅负极材料及其制备方法 [P].

姜福阳 ;

王辉 ;

林少雄 .

中国专利 :CN117163964B ,2025-10-31

[7]

一种氧化亚硅负极材料及其制备方法和应用 [P].

林少雄 ;

陆大班 ;

赵宇飞 ;

王辉 ;

辛昱 .

中国专利 :CN111653746A ,2020-09-11

[8]

一种高容量高首效的硅基负极材料及其制备方法和应用 [P].

范霞 ;

吴昕格 ;

李长东 ;

阮丁山 ;

周游 .

中国专利 :CN116534833B ,2025-07-29

[9]

一种预锂化氧化亚硅/碳复合材料及其制备方法和应用 [P].

薛孟尧 ;

胥鑫 ;

杨时峰 ;

曹新龙 ;

霍林智 ;

王凯锋 .

中国专利 :CN112289999A ,2021-01-29

[10]

一种高首效氧化亚硅负极及其制备方法 [P].

梅海龙 ;

赵志伟 ;

冷九够 ;

何自国 ;

张奎 ;

高凡 ;

付健 ;

戴涛 .

中国专利 :CN114275785A ,2022-04-05

← 1 2 3 4 5 →