一种高首效氧化亚硅负极及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202111596499.3

申请日：

2021-12-24

公开(公告)号：

CN114275785A

公开(公告)日：

2022-04-05

发明(设计)人：

梅海龙赵志伟冷九够何自国张奎高凡付健戴涛

申请人：

申请人地址：

243000 安徽省马鞍山市当涂经济开发区金柱中路大唐当涂电厂旁

IPC主分类号：

C01B33113

IPC分类号：

H01M436 H01M448 H01M4583 H01M100525

代理机构：

马鞍山市金桥专利代理有限公司 34111

代理人：

吴方舟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-05	公开	公开
2022-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 33/113 申请日:20211224

共 50 条

[1]

一种高首效氧化亚硅负极材料及其制备方法 [P].

方斌 ;

李胜 ;

李金武 ;

黄世强 ;

赵地磊 .

中国专利 :CN117438554A ,2024-01-23

[2]

一种高首效氧化亚硅负极材料及其制备方法 [P].

方斌 ;

李胜 ;

李金武 ;

黄世强 ;

赵地磊 .

中国专利 :CN117438554B ,2024-04-23

[3]

一种高首效氧化亚硅负极材料及其制备方法 [P].

姜福阳 ;

王辉 ;

林少雄 .

中国专利 :CN117163964B ,2025-10-31

[4]

一种氧化亚硅负极及其制备方法 [P].

赵志伟 ;

梅海龙 ;

高凡 ;

何自国 ;

付健 ;

戴涛 ;

张奎 .

中国专利 :CN114068902A ,2022-02-18

[5]

一种高首效氧化亚硅负极材料及其制备方法和应用 [P].

郭鑫 ;

余心亮 ;

周翠芳 ;

张元春 ;

汪辉 ;

武志杰 ;

曹干顺 .

中国专利 :CN118198306B ,2025-07-11

[6]

一种高首效氧化亚硅负极材料及其制备方法和应用 [P].

郭鑫 ;

余心亮 ;

周翠芳 ;

张元春 ;

汪辉 ;

武志杰 ;

曹干顺 .

中国专利 :CN118198306A ,2024-06-14

[7]

一种高首效氧化亚硅基负极材料及其制备方法 [P].

万文文 ;

林少雄 ;

王辉 ;

赵宇飞 ;

丁男 ;

张辰 ;

雷桂湘 .

中国专利 :CN115188946B ,2025-02-28

[8]

一种高首效高容量氧化亚硅负极极片的制备方法 [P].

孙廷兰 ;

李建霖 ;

任荣杰 ;

张军平 ;

张炳康 .

中国专利 :CN119943870A ,2025-05-06

[9]

一种高首效预锂氧化亚硅负极材料及其制备方法和应用 [P].

薛孟尧 ;

宋骞 ;

胥鑫 ;

王凯锋 ;

霍林智 ;

曹新龙 .

中国专利 :CN112271289A ,2021-01-26

[10]

一种低温还原制备高首效氧化亚硅的方法及其应用 [P].

赵志伟 ;

梅海龙 ;

尹东 ;

付健 ;

戴涛 .

中国专利 :CN115425212A ,2022-12-02

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