一种混合导体层包覆氧化亚硅负极材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411285302.8

申请日：

2024-09-13

公开(公告)号：

CN119153651A

公开(公告)日：

2024-12-17

发明(设计)人：

李兆麟赵海雷娄燕钦杨耀宗

申请人：

北京科技大学

申请人地址：

100083 北京市海淀区学院路30号

IPC主分类号：

H01M4/36

IPC分类号：

H01M4/485 H01M4/62 C01B33/113 C01B32/05

代理机构：

北京琅歌知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 16368

代理人：

赵艳红

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

辽宁省葫芦岛市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01M 4/36申请日:20240913
2024-12-17	公开	公开

共 50 条

[1]

一种双碳层包覆氧化亚硅负极材料及其制备方法 [P].

杨文胜 ;

肖晔曈 ;

陈旭 .

中国专利 :CN119008942A ,2024-11-22

[2]

一种氧化亚硅负极材料及其制备方法与应用 [P].

姜福阳 ;

丁男 ;

万文文 ;

王辉 .

中国专利 :CN117766737A ,2024-03-26

[3]

一种双层包覆氧化亚硅复合负极材料及其制备方法 [P].

刘景博 ;

霍锋 ;

刘艳侠 ;

刘凡 ;

柴丰涛 .

中国专利 :CN115513445A ,2022-12-23

[4]

一种双层包覆氧化亚硅复合负极材料及其制备方法 [P].

刘景博 ;

霍锋 ;

刘艳侠 ;

刘凡 ;

柴丰涛 .

中国专利 :CN115513445B ,2025-05-16

[5]

氧化亚硅复合负极材料及其制备方法 [P].

田立斌 ;

王培初 ;

刘安卿 ;

邓明华 ;

娄国胜 .

中国专利 :CN113903892A ,2022-01-07

[6]

一种氧化亚硅负极材料及其制备方法 [P].

常家瑞 ;

程序 ;

邱琳琳 ;

张洁 .

中国专利 :CN114373915A ,2022-04-19

[7]

一种氧化亚硅负极材料及其制备方法 [P].

姜福阳 ;

万文文 ;

王辉 .

中国专利 :CN118693258A ,2024-09-24

[8]

一种氧化亚硅负极材料及其制备方法 [P].

常家瑞 ;

程序 ;

邱琳琳 ;

张洁 .

中国专利 :CN114373915B ,2024-02-02

[9]

一种碳包覆氧化亚硅负极材料及其制备方法和应用 [P].

许家齐 ;

林少雄 ;

王辉 ;

周勇岐 ;

曹勇 .

中国专利 :CN110176601A ,2019-08-27

[10]

氮掺杂氧化亚硅负极材料及其制备方法与应用 [P].

俞兆喆 ;

魏久兴 ;

徐华蕊 ;

杨道国 ;

蔡苗 ;

朱归胜 ;

颜东亮 .

中国专利 :CN110071270A ,2019-07-30

← 1 2 3 4 5 →