硫属化合物随机存取内存及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410097103.0

申请日：

2004-12-07

公开(公告)号：

CN100389507C

公开(公告)日：

2006-06-14

发明(设计)人：

薛铭祥陈士弘

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区力行路16号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

G11C1156 G11C1300

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

王学强

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-05-21	授权	授权
2006-06-14	公开	公开
2006-08-09	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

动态随机存取内存结构及其制造方法 [P].

黄文魁 .

中国专利 :CN101656254A ,2010-02-24

[2]

硫属化合物粉、硫属化合物糊剂、硫属化合物粉的制造方法、硫属化合物糊剂的制造方法和硫属化合物薄膜的制造方法 [P].

石川雄一 ;

藤野刚聪 .

中国专利 :CN102652114B ,2012-08-29

[3]

电阻型随机存取内存的结构及其制造方法 [P].

张文岳 .

中国专利 :CN1581488A ,2005-02-16

[4]

电阻式随机存取内存及其制造方法 [P].

谢明宏 .

中国专利 :CN106803533A ,2017-06-06

[5]

电阻式随机存取内存及其制造方法 [P].

陈达 .

中国专利 :CN107403822B ,2017-11-28

[6]

动态随机存取内存的制造方法 [P].

黒田聡 ;

王芯雅 ;

蔡昌翰 ;

蔡明庭 .

中国专利 :CN115332180A ,2022-11-11

[7]

动态随机存取内存的制造方法 [P].

黒田聡 ;

王芯雅 ;

蔡昌翰 ;

蔡明庭 .

中国专利 :CN115332180B ,2025-10-17

[8]

晶闸管随机存取内存 [P].

卓荣发 ;

陈学深 ;

郭克文 ;

D·P-C·岑 .

中国专利 :CN105097808B ,2015-11-25

[9]

硫属化合物粉和硫属化合物糊剂以及它们的制造方法 [P].

石川雄一 ;

田上幸治 ;

藤野刚聪 .

中国专利 :CN102712494A ,2012-10-03

[10]

硫属化合物粉和硫属化合物糊剂以及它们的制造方法 [P].

石川雄一 ;

田上幸治 ;

藤野刚聪 .

中国专利 :CN105405744A ,2016-03-16

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