半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610061363.5

申请日：

2016-01-28

公开(公告)号：

CN106486442A

公开(公告)日：

2017-03-08

发明(设计)人：

汤子君张守仁陈韦廷林胤藏陈颉彦王垂堂吴凯强吕俊麟

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L23485

IPC分类号：

H01L23528 H01L23532 H01L2360

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-08	公开	公开
2019-03-19	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 23/485 申请公布日:20170308

共 50 条

[1]

半导体结构及其制造方法 [P].

沈香谷 ;

陈殿豪 .

中国专利 :CN112582276A ,2021-03-30

[2]

半导体结构及其制造方法 [P].

沈香谷 ;

陈殿豪 .

中国专利 :CN112582276B ,2025-06-13

[3]

半导体结构及其制造方法 [P].

张振兴 .

中国专利 :CN115483102A ,2022-12-16

[4]

半导体结构及其制造方法 [P].

陈颉彦 ;

郭鸿毅 ;

王垂堂 ;

蔡豪益 ;

余振华 ;

陈韦廷 ;

曾明鸿 ;

林彦良 .

中国专利 :CN106653744A ,2017-05-10

[5]

半导体结构及其制造方法 [P].

郭建利 ;

陈坤贤 .

中国专利 :CN110943060B ,2020-03-31

[6]

半导体结构及其制造方法 [P].

陈英儒 ;

陈宪伟 ;

陈明发 .

中国专利 :CN109390320A ,2019-02-26

[7]

半导体结构及其制造方法 [P].

刘醇鸿 ;

陈宪伟 ;

陈明发 .

中国专利 :CN109390302A ,2019-02-26

[8]

半导体结构及其制造方法 [P].

涂文琼 ;

沈香谷 ;

黄镇球 ;

陈殿豪 ;

陈淑芳 .

中国专利 :CN118983296A ,2024-11-19

[9]

半导体结构及其制造方法 [P].

张振兴 .

中国专利 :CN115483102B ,2025-10-21

[10]

半导体结构及半导体装置的制造方法 [P].

卢祯发 ;

刘重希 ;

余振华 ;

陈威宇 ;

陈正庭 .

中国专利 :CN102290379A ,2011-12-21

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