半导体结构及其制造方法

被引:0
申请号
CN202211185603.4
申请日
2022-09-27
公开(公告)号
CN115483102A
公开(公告)日
2022-12-16
发明(设计)人
张振兴
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号
IPC主分类号
H01L21311
IPC分类号
B81C100
代理机构
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
周耀君
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
张振兴 .
中国专利 :CN115483102B ,2025-10-21
[2]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
郑鸿柱 ;
张利东 .
中国专利 :CN114883336A ,2022-08-09
[3]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
郑鸿柱 ;
张利东 .
中国专利 :CN114883336B ,2025-08-29
[4]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
蔡永泰 ;
张恕铭 ;
张峻维 ;
陈键辉 ;
刘沧宇 ;
何彦仕 .
中国专利 :CN104037144A ,2014-09-10
[5]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
张皓筌 ;
任楷 .
中国专利 :CN113097123B ,2024-05-03
[6]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
D·特本 .
中国专利 :CN1288251A ,2001-03-21
[7]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
杨智超 ;
考施克·查恩达 .
中国专利 :CN101068013A ,2007-11-07
[8]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
汤子君 ;
张守仁 ;
陈韦廷 ;
林胤藏 ;
陈颉彦 ;
王垂堂 ;
吴凯强 ;
吕俊麟 .
中国专利 :CN106486442A ,2017-03-08
[9]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
吕函庭 ;
萧逸璇 .
中国专利 :CN102637576B ,2012-08-15
[10]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
吕浩昌 ;
罗杰 ;
平延磊 ;
侯霖杰 .
中国专利 :CN119947108A ,2025-05-06