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半导体结构及其制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311443155.8
申请日：
2023-11-01
公开(公告)号：
CN119947108A
公开(公告)日：
2025-05-06
发明(设计)人：
吕浩昌 罗杰 平延磊 侯霖杰
申请人：
北京超弦存储器研究院
申请人地址：
100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十街18号院11号楼四层401室
IPC主分类号：
H10B43/20
IPC分类号：
H10B43/40
代理机构：
北京市立方律师事务所 11330
代理人：
陈振玉
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-05-23 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10B 43/20申请日:20231101
2025-09-30 授权 授权
2025-05-06 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
吕浩昌 ;
罗杰 ;
平延磊 ;
侯霖杰 .
中国专利 :CN119947108B ,2025-09-30
[2]
半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P]. 
刘志拯 .
中国专利 :CN120224682A ,2025-06-27
[3]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
刘志拯 .
中国专利 :CN113053898B ,2021-06-29
[4]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN107492496B ,2017-12-19
[5]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
郑玉宏 ;
王晓光 ;
徐汉东 .
中国专利 :CN117835796A ,2024-04-05
[6]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
王冬江 ;
刘格致 .
中国专利 :CN106935502A ,2017-07-07
[7]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
张振兴 .
中国专利 :CN115483102A ,2022-12-16
[8]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
赖惠先 ;
沈洪 ;
李智育 .
中国专利 :CN118574412A ,2024-08-30
[9]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
韩清华 .
中国专利 :CN114420644A ,2022-04-29
[10]
半导体结构及其制造方法 [P]. 
齐栋洋 ;
唐斯师 ;
李钊 .
中国专利 :CN119967896A ,2025-05-09
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