一种基于二硫化铼的场效应管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110561315.3

申请日：

2021-05-22

公开(公告)号：

CN113437144A

公开(公告)日：

2021-09-24

发明(设计)人：

赵桂娟黄河源邢树安吕秀睿茆邦耀刘贵鹏

申请人：

申请人地址：

730000 甘肃省兰州市城关区天水南路222号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2924 H01L29423 H01L21336

代理机构：

兰州振华专利代理有限责任公司 62102

代理人：

张晋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20210522
2021-09-24	公开	公开

共 50 条

[1]

场效应管及其制造方法、存储器 [P].

毛淑娟 ;

赵超 ;

王桂磊 ;

李玉科 .

中国专利 :CN119153512A ,2024-12-17

[2]

场效应管及其制造方法 [P].

秦旭东 ;

徐慧龙 ;

张臣雄 .

中国专利 :CN108463889B ,2018-08-28

[3]

一种场效应管及场效应管制造方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN102842505A ,2012-12-26

[4]

一种MOS场效应管及其制造方法 [P].

伍宏 .

中国专利 :CN1971944A ,2007-05-30

[5]

场效应管及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108133963B ,2018-06-08

[6]

场效应管及其制造方法 [P].

倪崇尧 .

中国专利 :CN120812986A ,2025-10-17

[7]

场效应管及其制造方法 [P].

袁晓龙 ;

沈健 ;

姚国峰 ;

柳玉平 .

中国专利 :CN114127949A ,2022-03-01

[8]

非对称峰值掺杂的二硫化钼隧穿场效应管 [P].

王伟 ;

吴警 ;

魏凤华 ;

丰媛媛 .

中国专利 :CN110010681A ,2019-07-12

[9]

场效应管及其制造方法、存储器 [P].

毛淑娟 ;

王桂磊 ;

赵超 ;

黄龙 ;

于伟 ;

马艳三 .

中国专利 :CN118472029A ,2024-08-09

[10]

一种MOS场效应管及其制造方法 [P].

伍宏 .

中国专利 :CN1971941A ,2007-05-30

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