半导体激光器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810135184.7

申请日：

2008-08-13

公开(公告)号：

CN101425659B

公开(公告)日：

2009-05-06

发明(设计)人：

仓本大仲山英次大泉善嗣藤本强

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01S530

IPC分类号：

H01S516 H01S500 G11B7125 H01L2120

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

余刚;吴孟秋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-12-22	授权	授权
2009-05-06	公开	公开
2022-07-29	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01S 5/30 申请日:20080813 授权公告日:20101222 终止日期:20210813

共 50 条

[1]

用于制造半导体激光器的方法 [P].

藤本强 ;

大桥希美 ;

仓本大 ;

仲山英次 .

中国专利 :CN101752788A ,2010-06-23

[2]

半导体激光器及其制造方法、光拾波器和光盘驱动装置 [P].

幸田伦太郎 ;

仓本大 ;

仲山英次 ;

藤本强 .

中国专利 :CN101714745A ,2010-05-26

[3]

半导体激光器及其制造方法 [P].

松谷弘康 ;

佐藤圭 .

中国专利 :CN103227418B ,2013-07-31

[4]

半导体激光器及其制造方法 [P].

福久敏哉 ;

吉川昭男 .

中国专利 :CN1267110A ,2000-09-20

[5]

半导体激光器及其制造方法 [P].

南政史 ;

玉田尚久 ;

上野贵宽 ;

北川宽士 .

中国专利 :CN106684706A ,2017-05-17

[6]

半导体激光器及其制造方法 [P].

笹冈千秋 .

中国专利 :CN102237634A ,2011-11-09

[7]

半导体激光器 [P].

武富优绮 .

日本专利 :CN118805311A ,2024-10-18

[8]

半导体激光器 [P].

克里斯蒂安·劳尔 ;

托马斯·斯威特利克 .

中国专利 :CN109964375A ,2019-07-02

[9]

半导体激光器 [P].

我妻新一 ;

内田史朗 .

中国专利 :CN1681174A ,2005-10-12

[10]

半导体激光器以及半导体激光器制造方法 [P].

中村直干 ;

河原弘幸 ;

松本启资 ;

铃木凉子 ;

平聪 .

日本专利 :CN118266139A ,2024-06-28

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