半导体激光器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310019841.2

申请日：

2013-01-18

公开(公告)号：

CN103227418B

公开(公告)日：

2013-07-31

发明(设计)人：

松谷弘康佐藤圭

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01S522

IPC分类号：

H01S532

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

余刚;吴孟秋

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-03	授权	授权
2015-02-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101597144691 IPC(主分类):H01S 5/22 专利申请号:2013100198412 申请日:20130118
2013-07-31	公开	公开
2022-01-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01S 5/22 申请日:20130118 授权公告日:20170503 终止日期:20210118

共 50 条

[1]

半导体激光器 [P].

中川康幸 ;

西口晴美 ;

蔵本恭介 ;

楠政谕 ;

白滨武郎 ;

铃木洋介 ;

松冈裕益 .

中国专利 :CN101488641A ,2009-07-22

[2]

半导体激光器及其制造方法 [P].

前田修 ;

增井勇志 ;

汐先政贵 ;

佐藤进 ;

荒木田孝博 .

中国专利 :CN101834408B ,2010-09-15

[3]

半导体激光器及其制造方法 [P].

福久敏哉 ;

吉川昭男 .

中国专利 :CN1267110A ,2000-09-20

[4]

半导体激光器及其制造方法 [P].

田中明 ;

田中宏和 ;

伊藤义行 ;

玄永康一 .

中国专利 :CN1445893A ,2003-10-01

[5]

半导体激光器及其制造方法 [P].

内田史朗 ;

东条刚 .

中国专利 :CN1383240A ,2002-12-04

[6]

半导体激光器及其制造方法 [P].

仓本大 ;

仲山英次 ;

大泉善嗣 ;

藤本强 .

中国专利 :CN101425659B ,2009-05-06

[7]

半导体激光器及其制造方法 [P].

洪梓健 ;

徐智鹏 ;

沈佳辉 .

中国专利 :CN102638001A ,2012-08-15

[8]

半导体激光器及其制造方法 [P].

渡辺昌规 ;

松本晃广 ;

竹冈忠士 ;

国政文枝 .

中国专利 :CN1301578C ,2005-03-30

[9]

半导体激光器和用于制造这种半导体激光器的方法 [P].

胡贝特·哈尔布里特 ;

安德烈亚斯·普洛斯尔 ;

罗兰德·海因里希·恩茨曼 ;

马丁·鲁道夫·贝林格 .

中国专利 :CN113872048A ,2021-12-31

[10]

半导体激光器和用于制造这种半导体激光器的方法 [P].

胡贝特·哈尔布里特 ;

安德烈亚斯·普洛斯尔 ;

罗兰德·海因里希·恩茨曼 ;

马丁·鲁道夫·贝林格 .

中国专利 :CN110192312B ,2019-08-30

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