一种非晶态‑纳米晶复合结构的石墨烯掺杂透明导电氧化物薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710744530.0

申请日：

2017-08-25

公开(公告)号：

CN107464599A

公开(公告)日：

2017-12-12

发明(设计)人：

苏雪琼邱菊崔丽彬赵逸朔韩笑冬刘永才

申请人：

申请人地址：

100124 北京市朝阳区平乐园100号

IPC主分类号：

H01B108

IPC分类号：

H01B1300

代理机构：

北京思海天达知识产权代理有限公司 11203

代理人：

张立改

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-12	公开	公开
2019-06-18	授权	授权
2018-01-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01B 1/08 申请日:20170825
2019-08-06	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01B 1/08 变更事项:发明人变更前:苏雪琼邱菊崔丽彬赵逸朔韩笑冬刘永才变更后:苏雪琼邱菊崔丽彬赵逸朔韩笑冬刘玉才

共 50 条

[1]

非晶透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

何永才 ;

李建淸 ;

崔鸽 ;

董刚强 ;

郁操 .

中国专利 :CN107557745A ,2018-01-09

[2]

石墨烯复合导电氧化物靶材及其透明导电薄膜的制备方法 [P].

陈斐 ;

杨爽 ;

吴俊彦 ;

沈强 ;

加乐为 ;

朱莉·沙龙 ;

张联盟 .

中国专利 :CN103741094A ,2014-04-23

[3]

一种非晶透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

张群 ;

李喜峰 ;

缪维娜 ;

黄丽 ;

章壮健 .

中国专利 :CN100415930C ,2005-11-16

[4]

复合透明导电氧化物薄膜及其制备方法 [P].

朱奕漪 ;

刘良玉 ;

刘文峰 .

中国专利 :CN105140312B ,2015-12-09

[5]

非晶掺钨二氧化锡透明导电氧化物薄膜及其制备方法 [P].

张群 ;

黄延伟 ;

李桂峰 .

中国专利 :CN101299423A ,2008-11-05

[6]

透明导电氧化物薄膜的低温制备方法 [P].

陈同来 ;

李清文 ;

陈名海 .

中国专利 :CN101429643A ,2009-05-13

[7]

近红外高透射率非晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法 [P].

张群 ;

李桂锋 ;

李喜峰 .

中国专利 :CN101101931A ,2008-01-09

[8]

一种p型透明导电氧化物及其掺杂非晶薄膜的制备方法 [P].

毕晓昉 ;

黄钦 ;

王柳 .

中国专利 :CN103173732A ,2013-06-26

[9]

一种透明导电氧化物薄膜及其制备方法 [P].

刘生忠 ;

肖锋伟 ;

訾威 .

中国专利 :CN106048530A ,2016-10-26

[10]

石墨烯-氧化锌透明导电薄膜及其制备方法 [P].

门传玲 ;

邓闯 ;

杨斌 ;

曹军 ;

张华 .

中国专利 :CN103199126A ,2013-07-10

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