一种p型透明导电氧化物及其掺杂非晶薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310075171.6

申请日：

2013-03-08

公开(公告)号：

CN103173732A

公开(公告)日：

2013-06-26

发明(设计)人：

毕晓昉黄钦王柳

申请人：

申请人地址：

100191 北京市海淀区学院路37号

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

C23C1408

代理机构：

北京永创新实专利事务所 11121

代理人：

姜荣丽

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101716971653 IPC(主分类):C23C 14/35 专利号:ZL2013100751716 申请日:20130308 授权公告日:20141203 终止日期:20160308
2013-08-14	实质审查的生效	实质审查的生效专利申请号:2013100751716 申请日:20130308 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101507329035 IPC(主分类):C23C 14/35
2014-12-03	授权	授权
2013-06-26	公开	公开

共 50 条

[1]

非晶透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

何永才 ;

李建淸 ;

崔鸽 ;

董刚强 ;

郁操 .

中国专利 :CN107557745A ,2018-01-09

[2]

柔性P掺杂ZnO透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

李玲霞 ;

于仕辉 ;

许丹 ;

董和磊 ;

金雨馨 .

中国专利 :CN103993284A ,2014-08-20

[3]

一种中红外透明导电P型氧化物薄膜材料及其制备方法 [P].

朱嘉琦 ;

高岗 ;

杨磊 ;

代兵 ;

夏菲 ;

郭帅 ;

杨振怀 ;

王鹏 ;

耿方娟 .

中国专利 :CN108470782A ,2018-08-31

[4]

一种非晶透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

张群 ;

李喜峰 ;

缪维娜 ;

黄丽 ;

章壮健 .

中国专利 :CN100415930C ,2005-11-16

[5]

P型透明导电氧化物CuAlO2薄膜的制备方法 [P].

张铭 ;

董国波 ;

兰伟 ;

董培明 ;

严辉 .

中国专利 :CN101158049B ,2008-04-09

[6]

一种P型红外透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

杨磊 ;

朱嘉琦 ;

郭帅 ;

代兵 ;

杨振怀 ;

舒国阳 .

中国专利 :CN105063565B ,2015-11-18

[7]

一种透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

徐东 ;

徐永 ;

任昌义 .

中国专利 :CN102646759B ,2012-08-22

[8]

具p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板及制备方法 [P].

杨能辉 .

中国专利 :CN103426974A ,2013-12-04

[9]

一种绒面透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

张新安 ;

蒋俊华 ;

孙献文 ;

郑海务 ;

张伟风 .

中国专利 :CN109273170B ,2019-01-25

[10]

透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

陈剑辉 ;

李锋 ;

沈燕龙 ;

赵文超 ;

李高非 ;

胡志岩 ;

熊景峰 ;

宋登元 .

中国专利 :CN103147041A ,2013-06-12

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