P型透明导电氧化物CuAlO2薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710119718.2

申请日：

2007-07-31

公开(公告)号：

CN101158049B

公开(公告)日：

2008-04-09

发明(设计)人：

张铭董国波兰伟董培明严辉

申请人：

申请人地址：

100022 北京市朝阳区平乐园100号

IPC主分类号：

C30B2506

IPC分类号：

C30B2922 H01L3118

代理机构：

北京思海天达知识产权代理有限公司 11203

代理人：

张燕慧

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-10-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101116124123 IPC(主分类):C30B 25/06 专利号:ZL2007101197182 申请日:20070731 授权公告日:20100602 终止日期:20100731
2008-04-09	公开	公开
2010-06-02	授权	授权
2008-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

一种透明导电氧化物CuAlO2薄膜的制备方法 [P].

张树玉 ;

杨海 ;

苏小平 ;

黎建明 ;

刘伟 ;

闫兰琴 ;

刘嘉禾 .

中国专利 :CN101373712A ,2009-02-25

[2]

一种透明导电氧化物CuAlO2薄膜的制备方法 [P].

邹友生 ;

汪海鹏 ;

张亦弛 ;

涂承君 ;

楼东 ;

董宇辉 ;

窦康 .

中国专利 :CN103114269B ,2013-05-22

[3]

一种制备p型CuAlO2透明导电薄膜的方法 [P].

黄延伟 ;

席俊华 ;

季振国 .

中国专利 :CN102560362A ,2012-07-11

[4]

透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

陈剑辉 ;

李锋 ;

沈燕龙 ;

赵文超 ;

李高非 ;

胡志岩 ;

熊景峰 ;

宋登元 .

中国专利 :CN103147041A ,2013-06-12

[5]

透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

刘铭全 .

中国专利 :CN119730486A ,2025-03-28

[6]

透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

崔鸽 ;

董刚强 ;

李沅民 ;

谭钦 .

中国专利 :CN111446149A ,2020-07-24

[7]

p型铜铁矿结构透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

李达 ;

方晓东 ;

邓赞红 ;

陶汝华 ;

董伟伟 .

中国专利 :CN101215702A ,2008-07-09

[8]

一种p型透明导电氧化物及其掺杂非晶薄膜的制备方法 [P].

毕晓昉 ;

黄钦 ;

王柳 .

中国专利 :CN103173732A ,2013-06-26

[9]

透明导电氧化物薄膜的低温制备方法 [P].

陈同来 ;

李清文 ;

陈名海 .

中国专利 :CN101429643A ,2009-05-13

[10]

一种P型红外透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

杨磊 ;

朱嘉琦 ;

郭帅 ;

代兵 ;

杨振怀 ;

舒国阳 .

中国专利 :CN105063565B ,2015-11-18

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