透明导电氧化物薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411912438.7

申请日：

2024-12-23

公开(公告)号：

CN119730486A

公开(公告)日：

2025-03-28

发明(设计)人：

刘铭全

申请人：

星钥（珠海）半导体有限公司

申请人地址：

519000 广东省珠海市高新区唐家湾镇湾创路58号5层505室

IPC主分类号：

H10H20/01

IPC分类号：

H10H20/833

代理机构：

北京博思佳知识产权代理有限公司 11415

代理人：

张相钦

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-10	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移IPC(主分类):H10H 20/01登记生效日:20250523变更事项:申请人变更前权利人:星钥（珠海）半导体有限公司变更后权利人:星钥半导体（武汉）有限公司变更事项:国家或地区变更前权利人:中国变更后权利人:中国变更事项:地址变更前权利人:519000 广东省珠海市高新区唐家湾镇湾创路58号5层505室变更后权利人:430206 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来科技城龙山南街6号展想新思中心1号楼8楼808单元
2025-04-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10H 20/01申请日:20241223
2025-03-28	公开	公开

共 50 条

[1]

透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

陈剑辉 ;

李锋 ;

沈燕龙 ;

赵文超 ;

李高非 ;

胡志岩 ;

熊景峰 ;

宋登元 .

中国专利 :CN103147041A ,2013-06-12

[2]

透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

崔鸽 ;

董刚强 ;

李沅民 ;

谭钦 .

中国专利 :CN111446149A ,2020-07-24

[3]

透明导电氧化物薄膜的低温制备方法 [P].

陈同来 ;

李清文 ;

陈名海 .

中国专利 :CN101429643A ,2009-05-13

[4]

分层透明导电氧化物薄膜 [P].

加布里埃尔·P·阿格尼欧 ;

因德雷杰特·杜塔 ;

杰安-弗朗索瓦·奥达弟 .

中国专利 :CN105408270B ,2016-03-16

[5]

复合透明导电氧化物薄膜及其制备方法 [P].

朱奕漪 ;

刘良玉 ;

刘文峰 .

中国专利 :CN105140312B ,2015-12-09

[6]

非晶透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

何永才 ;

李建淸 ;

崔鸽 ;

董刚强 ;

郁操 .

中国专利 :CN107557745A ,2018-01-09

[7]

制备透明导电氧化物薄膜的方法及其应用 [P].

刘佳 .

中国专利 :CN105304732B ,2016-02-03

[8]

一种透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

徐东 ;

徐永 ;

任昌义 .

中国专利 :CN102646759B ,2012-08-22

[9]

柔性P掺杂ZnO透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

李玲霞 ;

于仕辉 ;

许丹 ;

董和磊 ;

金雨馨 .

中国专利 :CN103993284A ,2014-08-20

[10]

高迁移率透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

何永才 ;

崔鸽 ;

郁操 .

中国专利 :CN108103466A ,2018-06-01

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