高迁移率透明导电氧化物薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711401571.6

申请日：

2017-12-21

公开(公告)号：

CN108103466A

公开(公告)日：

2018-06-01

发明(设计)人：

何永才崔鸽郁操

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区景园北街2号院66号楼7层805

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

C23C1408 C23C1458

代理机构：

北京维澳专利代理有限公司 11252

代理人：

赵景平;张春雨

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20171221
2020-04-07	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C 14/35 申请公布日:20180601
2018-06-01	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高迁移率透明导电氧化物薄膜及其制备方法 [P].

黄仕华 ;

李林华 ;

郝亚非 .

中国专利 :CN113913764A ,2022-01-11

[2]

一种直流磁控溅射高迁移率透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

李天柱 ;

文宏福 ;

卢宽宽 ;

李鹏 ;

吴旭明 .

中国专利 :CN119553227A ,2025-03-04

[3]

一种直流磁控溅射高迁移率透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

李天柱 ;

文宏福 ;

卢宽宽 ;

李鹏 ;

吴旭明 .

中国专利 :CN119553227B ,2025-09-09

[4]

非晶透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

何永才 ;

李建淸 ;

崔鸽 ;

董刚强 ;

郁操 .

中国专利 :CN107557745A ,2018-01-09

[5]

透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

陈剑辉 ;

李锋 ;

沈燕龙 ;

赵文超 ;

李高非 ;

胡志岩 ;

熊景峰 ;

宋登元 .

中国专利 :CN103147041A ,2013-06-12

[6]

透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

崔鸽 ;

董刚强 ;

李沅民 ;

谭钦 .

中国专利 :CN111446149A ,2020-07-24

[7]

透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

刘铭全 .

中国专利 :CN119730486A ,2025-03-28

[8]

透明导电氧化物薄膜的低温制备方法 [P].

陈同来 ;

李清文 ;

陈名海 .

中国专利 :CN101429643A ,2009-05-13

[9]

一种具有高迁移率的透明导电薄膜及其制备方法 [P].

曹彦伟 ;

赵晨辰 ;

张如意 ;

张娇 ;

彭邵勤 ;

闫凯 ;

黄曦 .

中国专利 :CN120464976A ,2025-08-12

[10]

分层透明导电氧化物薄膜 [P].

加布里埃尔·P·阿格尼欧 ;

因德雷杰特·杜塔 ;

杰安-弗朗索瓦·奥达弟 .

中国专利 :CN105408270B ,2016-03-16

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