p型铜铁矿结构透明导电氧化物薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710192050.4

申请日：

2007-12-27

公开(公告)号：

CN101215702A

公开(公告)日：

2008-07-09

发明(设计)人：

李达方晓东邓赞红陶汝华董伟伟

申请人：

申请人地址：

230031安徽省合肥市蜀山湖路350号1125信箱

IPC主分类号：

C23C2410

IPC分类号：

代理机构：

安徽合肥华信知识产权代理有限公司

代理人：

余成俊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-09-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2015-02-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101599311352 IPC(主分类):C23C 24/10 专利号:ZL2007101920504 申请日:20071227 授权公告日:20091118 终止日期:20131227
2009-11-18	授权	授权
2008-07-09	公开	公开

共 50 条

[1]

钯钴氧化物薄膜、铜铁矿型氧化物薄膜、具有铜铁矿型氧化物薄膜的肖特基电极、钯钴氧化物薄膜的制备方法及铜铁矿型氧化物薄膜的制备方法 [P].

原田尚之 ;

政广泰 .

日本专利 :CN119563044A ,2025-03-04

[2]

透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

陈剑辉 ;

李锋 ;

沈燕龙 ;

赵文超 ;

李高非 ;

胡志岩 ;

熊景峰 ;

宋登元 .

中国专利 :CN103147041A ,2013-06-12

[3]

透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

刘铭全 .

中国专利 :CN119730486A ,2025-03-28

[4]

透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

崔鸽 ;

董刚强 ;

李沅民 ;

谭钦 .

中国专利 :CN111446149A ,2020-07-24

[5]

透明导电氧化物薄膜的低温制备方法 [P].

陈同来 ;

李清文 ;

陈名海 .

中国专利 :CN101429643A ,2009-05-13

[6]

一种P型红外透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

杨磊 ;

朱嘉琦 ;

郭帅 ;

代兵 ;

杨振怀 ;

舒国阳 .

中国专利 :CN105063565B ,2015-11-18

[7]

柔性P掺杂ZnO透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

李玲霞 ;

于仕辉 ;

许丹 ;

董和磊 ;

金雨馨 .

中国专利 :CN103993284A ,2014-08-20

[8]

分层透明导电氧化物薄膜 [P].

加布里埃尔·P·阿格尼欧 ;

因德雷杰特·杜塔 ;

杰安-弗朗索瓦·奥达弟 .

中国专利 :CN105408270B ,2016-03-16

[9]

复合透明导电氧化物薄膜及其制备方法 [P].

朱奕漪 ;

刘良玉 ;

刘文峰 .

中国专利 :CN105140312B ,2015-12-09

[10]

非晶透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P].

何永才 ;

李建淸 ;

崔鸽 ;

董刚强 ;

郁操 .

中国专利 :CN107557745A ,2018-01-09

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