利用表面等离子体远程激发单光子源的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910236247.2

申请日：

2009-10-23

公开(公告)号：

CN101702047A

公开(公告)日：

2010-05-05

发明(设计)人：

魏红李敬徐红星

申请人：

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村南三街8号

IPC主分类号：

G02B6122

IPC分类号：

G02B610

代理机构：

北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003

代理人：

尹振启

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-05-05	公开	公开
2010-06-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101003221662 IPC(主分类):G02B 6/122 专利申请号:2009102362472 申请日:20091023
2011-10-05	授权	授权

共 50 条

[1]

激发表面等离子体的纳米光刻方法 [P].

李海华 ;

王庆康 ;

朱明轩 .

中国专利 :CN101846880A ,2010-09-29

[2]

远程等离子体源和具有所述远程等离子体源的等离子体处理腔室 [P].

杨扬 ;

K·拉马斯瓦米 ;

F·斯李维亚 ;

I·尤瑟夫 .

美国专利 :CN121153099A ,2025-12-16

[3]

静电远程等离子体源 [P].

D·J·霍夫曼 ;

D·卡特 ;

V·布劳克 ;

K·彼德森 ;

R·戈瑞理 .

中国专利 :CN107396526A ,2017-11-24

[4]

静电远程等离子体源 [P].

D·J·霍夫曼 ;

D·卡特 ;

V·布劳克 ;

K·彼德森 ;

R·戈瑞理 .

中国专利 :CN103444268A ,2013-12-11

[5]

表面等离子体生化传感检测装置 [P].

陈旭南 ;

罗先刚 ;

李海颖 .

中国专利 :CN101051025A ,2007-10-10

[6]

用于控制等离子体偏斜的远程等离子体源 [P].

A·A·哈贾 ;

M·阿优伯 ;

R·博卡 ;

J·D·平森二世 ;

J·C·罗查-阿尔瓦瑞斯 .

中国专利 :CN105977125B ,2016-09-28

[7]

等离子体源、用于激发等离子体的激发系统和光学监测系统 [P].

马克·A·梅洛尼 .

中国专利 :CN110662339B ,2020-01-07

[8]

芯片集成式金属纳米线的表面等离子体激发方法 [P].

童利民 ;

马哲 ;

张奚宁 ;

郭欣 ;

杨青 ;

马耀光 .

中国专利 :CN101986175A ,2011-03-16

[9]

基于远程等离子体源的掺杂方法 [P].

孙靖莹 ;

崔常松 ;

刘明源 .

中国专利 :CN120824197A ,2025-10-21

[10]

基于远程等离子体源的掺杂方法 [P].

孙靖莹 ;

崔常松 ;

刘明源 .

中国专利 :CN120824197B ,2025-12-12

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