ESD NMOS器件结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610510501.3

申请日：

2016-06-30

公开(公告)号：

CN106024896A

公开(公告)日：

2016-10-12

发明(设计)人：

颜丙勇杜宏亮

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L2702

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

智云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101687255934 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2016105105013 申请日:20160630
2020-04-03	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20161012
2016-10-12	公开	公开

共 50 条

[1]

MV-NMOS器件及ESD器件 [P].

杨后平 ;

朱明辉 ;

秋沉沉 .

中国专利 :CN118676185A ,2024-09-20

[2]

提高SOI NMOS器件ESD保护能力的方法以及SOI NMOS器件 [P].

颜丙勇 ;

杜宏亮 .

中国专利 :CN106129043A ,2016-11-16

[3]

NMOS器件结构及NMOS器件结构的形成方法 [P].

汪维金 ;

刘嘉琦 ;

蒋小涵 ;

黄春妮 ;

谢静怡 .

中国专利 :CN120417435A ,2025-08-01

[4]

MOS结构的ESD器件 [P].

范炜盛 .

中国专利 :CN117673079A ,2024-03-08

[5]

NMOS器件及其集成工艺方法 [P].

李娟娟 .

中国专利 :CN106328590A ,2017-01-11

[6]

NMOS器件 [P].

尹晓雪 .

中国专利 :CN208970514U ,2019-06-11

[7]

NMOS器件制造方法和NMOS器件 [P].

轩慎龙 ;

勾鹏 ;

刘巍 .

中国专利 :CN113394102A ,2021-09-14

[8]

提高载流子迁移率的NMOS器件的制作方法及器件结构 [P].

刘格致 ;

黄晓橹 .

中国专利 :CN102664152A ,2012-09-12

[9]

ESD防护器件 [P].

范炜盛 .

中国专利 :CN119947263A ,2025-05-06

[10]

ESD防护器件 [P].

范炜盛 .

中国专利 :CN118538725A ,2024-08-23

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